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专利号:200580016473
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成膜装置以及成膜方法

本发明的目的是在层叠薄膜的光学薄膜中形成具有接近设计值的光学特性的光学薄膜。为此,在真空室(2)内,配备保持基板(4)的旋转鼓(3)、用于在基板(4)的被成膜面上形成金属膜的Si靶(22)、Ta靶(23)、通过等离子使金属膜与反应气体反应的ECR反应室(30)。在成膜装置(51)中,设置有对被成膜面照射离子束促进形成于被成膜面的膜的反应的离子枪(11),反复进行金属膜的形成、气体反应以及基于离子束的反应促进。

成膜装置以及成膜方法

一种成膜装置,其特征在于,    在可以进行真空排气的真空室内具有:保持基板的保持部件;在基板上形成薄膜的成膜部件;通过等离子使上述薄膜与反应气体进行反应的反应部件;以及向上述基板照射离子束的离子枪,    通过上述离子束的照射,进行上述薄膜与上述反应气体的反应促进以及上述薄膜的部分蚀刻其中一方或者两方,形成经过层叠的薄膜。
 


  
专利号: 200580016473
申请日: 2005年3月29日
公开/公告日: 2007年5月2日
授权公告日:
申请人/专利权人: 株式会社爱发科
国家/省市: 日本(JP)
邮编:
发明/设计人: 谷典明、森中泰三、铃木寿弘、松本昌弘
代理人: 曲瑞
专利代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所(11038)
专利代理机构地址: 北京市阜成门外大街2号8层(100037)
专利类型: 发明
公开号: 1957106
公告日:
授权日: 20
公告号: 0000000
优先权: 日本2004年4月9日115196/2004日本2004年6月28日189738/2004
审批历史:
附图数: 8
页数: 14
权利要求项数: 3
国际公布号: WO2005/098081
国际公布日: 2005年10月20日
国际公布语言:
国际申请号: PCT/JP2005/005942
国际申请日: 2005年3月29日
进入国家阶段日: 2006年11月22日
PCT:
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