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透明导电膜、透明导电膜制造用烧结体靶、透明导电性基材以及使用其的显示装置 |
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| 本发明提供一种非晶质、且在可见光短波长区的光透射率高、对弯曲不易破裂的透明导电膜。本发明的透明导电膜为由Ｇａ、Ｉｎ和Ｏ构成的非晶质氧化物膜，相对全部金属原子含有３５原子％以上、４５原子％以下的Ｇａ，比电阻为１．２×１０↑［－３］Ω·ｃｍ以上、８．０×１０↑［－３］Ω·ｃｍ以下，膜厚为５００ｎｍ以下，在波长３８０ｎｍ下的光透射率为４５％以上。 |
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透明导电膜、透明导电膜制造用烧结体靶、透明导电性基材以及使用其的显示装置
一种透明导电膜，其为由Ｇａ、Ｉｎ和Ｏ构成的非晶质氧化物膜，其特征在于，相对全部金属原子含有３５原子％以上、４５原子％以下的Ｇａ，比电阻为１．２×１０↑［－３］Ω·ｃｍ以上、８．０×１０↑［－３］Ω·ｃｍ以下，膜厚为５００ｎｍ以下，在波长３８０ｎｍ下的光透射率为４５％以上。
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