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专利号:200580020739
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真空成膜装置

本发明提供将圆筒构件的一部分作为靶使用,而且有意利用该圆筒构件附加等离子体聚合功能的的真空成膜装置。真空成膜装置(100)具备具有内部空间的导电性真空槽(13)、在内部空间(10)并排配置多个弯曲成扇形的弯曲构件(31、32),以此形成大致圆筒形从而形成的框体(15)、配置于被框体(15)包围的内部,沿着框体(15)的圆周方向形成磁场的磁场形成装置(33),弯曲构件(15、16)中的至少一个是使用于溅射的靶,而且是除了靶的框体(15)的区域外被使用于等离子体聚合的装置。

真空成膜装置

一种真空成膜装置,其特征在于,    具备    具有内部空间的导电性真空槽、    配置于所述内部空间,具有在宽度方向上弯曲的弯曲面,而且在轴方向延伸的靶、    沿着所述弯曲面的宽度方向在所述靶上形成磁场的磁场形成装置、以及    具有面对所述弯曲面的轴方向的中央部分的开口,使所述弯曲面与所述开口的端面相对地配置的导电性屏蔽板,    位于所述靶的轴方向的端部的所述弯曲面利用所述屏蔽板覆盖。
 


  
专利号: 200580020739
申请日: 2005年9月5日
公开/公告日: 2007年5月30日
授权公告日:
申请人/专利权人: 新明和工业株式会社
国家/省市: 日本(JP)
邮编:
发明/设计人: 泷川志郎、加藤圭司、米山信夫
代理人: 衷诚宣
专利代理机构: 上海新天专利事务所(31213)
专利代理机构地址: 上海市复兴中路526号503室(200020)
专利类型: 发明
公开号: 1973059
公告日:
授权日: 20
公告号: 0000000
优先权: 日本2004年9月14日266878/2004
审批历史:
附图数: 4
页数: 17
权利要求项数: 3
国际公布号: WO2006/038407
国际公布日: 2006年4月13日
国际公布语言:
国际申请号: PCT/JP2005/016218
国际申请日: 2005年9月5日
进入国家阶段日: 2006年12月22日
PCT:
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