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专利号:200580025678
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溅射源、溅镀装置、薄膜的制造方法

不对有机薄膜造成损伤地在其表面上形成溅镀膜。以遮蔽板103来遮蔽溅射源11~13的框体101的开口,在该开口部107a的两侧配置捕获磁铁105↓[1]、105↓[2]。在框体101内部配置靶部120,溅镀时,将遮蔽部103连接到接地电位,使电子等负的带电粒子入射到遮蔽部103,而通过了开口部107a的带电粒子则由于捕获磁铁105↓[1]、105↓[2]形成的磁场而弯曲其飞行方向。在成膜对象物横越溅射源11~13时,带电粒子不入射到成膜对象物表面,因此对有机薄膜的损伤减小。

溅射源、溅镀装置、薄膜的制造方法

一种溅射源,其中设有靶以及与所述靶相离而配置的、具有细长开口部的遮蔽板,使从所述靶发出的溅射粒子通过所述开口部而到达成膜对象物表面,    沿着所述开口部的长边方向在所述开口部的两侧,设置第一、第二捕获磁铁部,    在所述第一、第二捕获磁铁部的面对所述开口部的侧面,设置不同的磁极。
 


  
专利号: 200580025678
申请日: 2005年12月19日
公开/公告日: 2007年7月4日
授权公告日:
申请人/专利权人: 株式会社爱发科
国家/省市: 日本(JP)
邮编:
发明/设计人: 根岸敏夫、伊藤正博
代理人: 曾祥夌 刘宗杰
专利代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司(72001)
专利代理机构地址: 香港湾仔港湾道23号鹰君中心22字楼()
专利类型: 发明
公开号: 1993491
公告日:
授权日: 20
公告号: 000000000
优先权: 日本2004年12月28日378688/2004
审批历史:
附图数: 4
页数: 10
权利要求项数: 3
国际公布号: WO2006/070633
国际公布日: 2006年7月6日
国际公布语言:
国际申请号: PCT/JP2005/023276
国际申请日: 2005年12月19日
进入国家阶段日: 2007年1月29日
PCT:
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