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| 本发明提供一种成膜方法，即使在具有纵横比大的凹部的被处理体的表面使用凝集性高的金属的情况下，也能够形成连续的薄膜。该方法包括以下工序，将基板搬入反应容器内并进行载置的工序；向反应容器内供给包括第一金属化合物的原料气体、并使该第一金属化合物吸附于基板表面的工序；使该第一金属化合物与活性化还原性气体而得到的还原用等离子体接触，而得到第一金属层的工序；以及，使溅射用等离子体接触至少表面部是由与第一金属不同的第二金属所构成的靶电极，将逸出的第二金属注入第一金属层，得到合金层的工序，进行一次以上的这些吸附、还原、及合金化的一系列的循环。利用该方法，即使是在第一金属的凝集力强的情况下也能够抑制基板的移动，形成连续的膜厚小的薄膜。 |
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成膜方法、成膜装置及存储介质
一种成膜方法，其特征在于，包括： 将基板搬入反应容器内并载置于载置部上的工序； 接着，向所述反应容器内供给包括第一金属化合物的原料气体、并使该第一金属化合物吸附于所述基板表面上的吸附工序； 在向该化合物供给用于还原反应的能量的同时，使吸附在所述基板上的第一金属化合物接触还原用气体，由此进行还原，得到第一金属层的还原工序；以及 在与所述基板相对、至少表面部是由与第一金属不同的第二金属所构成的靶电极上，使溅射用气体活性化而得到的溅射用等离子体相接触，将逸出的第二金属注入所述第一金属层中，得到第一金属及第二金属的合金层的合金化工序， 进行一次以上的由所述吸附工序、还原工序、及合金化工序所构成的一系列的循环。
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