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专利号:200610111222
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绝缘性靶材及其制造方法、导电性复合氧化膜及设备
本发明提供一种绝缘性靶材，该绝缘性靶材质地均匀且绝缘性高，并具有良好的特性，用于制造导电性复合氧化膜。上述绝缘性靶材是用于获得以通式ＡＢＯ↓［３］表示的导电性复合氧化膜的绝缘性靶材，包括Ａ元素的氧化物、Ｂ元素的氧化物以及Ｓｉ化合物及Ｇｅ化合物中的至少一种。

绝缘性靶材及其制造方法、导电性复合氧化膜及设备

一种绝缘性靶材，用于获得以通式ＡＢＯ↓［３］表示的导电性复合氧化膜，其特征在于包括：　　　　　Ａ元素的氧化物；　　　　Ｂ元素的氧化物；以及　　　　Ｓｉ化合物及Ｇｅ化合物中的至少一种。
 
　　
专利号: 200610111222
申请日: 2006年8月15日
公开/公告日: 2007年2月21日
授权公告日:
申请人/专利权人: 精工爱普生株式会社
国家/省市: 日本(JP)
邮编:
发明/设计人: 大桥幸司、岩下节也、木岛健、滨田泰彰
代理人: 余刚
专利代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司(11240)
专利代理机构地址: 北京市西城区金融大街33号通泰大厦B402室(100032)
专利类型: 发明
公开号: 1916229
公告日:
授权日: 20
公告号: 0000000
优先权: 日本2005年8月16日2005-235809
审批历史:
附图数: 24
页数: 32
权利要求项数: 3
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专利分类:·生活及医学 ·作业及运输 ·化学及冶金 ·纺织及造纸 ·建筑及采矿 ·机械及工程 ·物理及测量 ·电子及通讯
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