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专利号:200610116289
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用于切削工具的TiN/AlON纳米多层涂层反应磁控溅射制备方法

本发明涉及的是一种用于切削工具技术领域的TiN/AlON纳米多层涂层反应磁控溅射制备方法。分别采用直流阴极控制的Ti靶和射频阴极控制的Al↓[2]O↓[3]靶,通过在Ar气和N↓[2]气的混合气氛中的反应溅射分别获得TiN和AlON沉积层,并通过改变各靶的溅射功率和基片轮流在各靶前的停留时间获得具有成分周期变化的TiN/AlON纳米多层涂层。本发明提供的TiN/AlON纳米多层涂层的反应溅射制备技术具有很高的生产效率,可以满足具有高硬度和优异抗氧化性能、适用于高速切削和干式切削涂层的工业规模化生产的需要。

用于切削工具的TiN/AlON纳米多层涂层反应磁控溅射制备方法

一种TiN/AlON纳米多层涂层的高效率制备技术,其特征在于:分别采用直流阴极控制的Ti靶和射频阴极控制的Al↓[2]O↓[3]靶,通过在Ar气和N↓[2]气的混合气氛中的反应溅射分别获得TiN和AlON沉积层,并通过改变各靶的溅射功率和基片轮流在各靶前的停留时间获得具有成分周期变化的TiN/AlON纳米多层涂层。
 


  
专利号: 200610116289
申请日: 2006年9月21日
公开/公告日: 2007年3月7日
授权公告日:
申请人/专利权人: 上海交通大学
国家/省市: 上海(31)
邮编: 200240
发明/设计人: 孔明、李戈扬、戴嘉维、黄碧龙、吴莹
代理人: 王锡麟 张宗明
专利代理机构: 上海交通大学专利事务所(31201)
专利代理机构地址: 上海市华山路1954号(200030)
专利类型: 发明
公开号: 1924084
公告日:
授权日: 20
公告号: 0000000
优先权:
审批历史:
附图数: 0
页数: 5
权利要求项数: 2
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