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| 本发明涉及一种高硅取向低碳高硅硅钢薄板的制备方法。其技术方案是将基材为硅含量低于３．０ｗｔ％的低碳钢或低硅硅钢置于溅射室，在真空或保护性气氛下，采用溅射沉积法将不同靶材在基材两面交替或同时沉积，预制成硅铁合金膜或Ｆｅ／Ｓｉ多层膜或Ｆｅ／Ｓｉ超晶格多层膜的沉积层；再向溅射室通入Ｎ↓［２］和／或Ｏ↓［２］，采用溅射沉积法将Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ或ＭｇＯ靶材沉积在沉积层外表面，形成ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＭｇＯ或一层含Ｃｒ尖晶石型氧化物覆层；然后采用高能粒子注入法进行表面处理或扩散退火处理并进行轧制，最后将轧制的复合材料进行再结晶退火处理。本发明制备周期短、扩散退火处理时间短，能形成表面碳、磷及氧含量极低的高硅取向硅钢薄板，沉积层的晶粒大小规则，具有取向。 |
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一种高硅取向硅钢薄板的制备方法
一种高硅取向硅钢薄板的制备方法，其特征在于将基材为硅含量低于３．０ｗｔ％的低碳钢或低硅硅钢置于溅射室，在真空或保护性气氛下，采用溅射沉积法将不同靶材在基材两面交替或同时沉积，预制成硅铁合金膜或Ｆｅ／Ｓｉ多层膜或Ｆｅ／Ｓｉ超晶格多层膜的沉积层；再向溅射室通入Ｎ↓［２］和／或Ｏ↓［２］，采用溅射沉积法将Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ或ＭｇＯ靶材沉积在沉积层外表面；然后采用高能粒子注入法进行表面处理或扩散退火处理并进行轧制，最后将轧制的复合材料进行再结晶退火处理。
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