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专利号:200610149438
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抗硫化银基涂层及其沉积方法和其使用

本发明提供了一种抗硫化银基涂层及其沉积方法和其使用。通过从涂层自由表面到10nm与1μm之间、优选100nm与1μm之间的深度形成银、氧和可能存在于材料中的一种或多种可氧化合金元素的浓度梯度,银基材料涂层的抗硫化性进一步提高。因此,该涂层包括由银基材料制成的一个主层和一个氧化薄膜的叠层。具有包括在10nm与1μm之间的厚度的薄膜具有从薄膜与主层之间的界面到薄膜自由表面之间降低的银浓度梯度。通过两个连续的物理气相沉积步骤且更具体而言通过磁控阴极溅射可以实现在支持物上沉积该涂层。

抗硫化银基涂层及其沉积方法和其使用

一种银基材料涂层,包括一主层(1)和一氧化薄膜(2)的叠层,其特征在于所述氧化薄膜(2)具有包括在10nm与1μm之间的厚度,且呈现从所述薄膜(2)与所述主层(1)之间的界面到所述薄膜(2)的自由表面(2a)降低的银浓度梯度。
 


  
专利号: 200610149438
申请日: 2006年11月20日
公开/公告日: 2007年5月23日
授权公告日:
申请人/专利权人: 原子能委员会
国家/省市: 法国(FR)
邮编:
发明/设计人: 丹尼斯·卡梅尔、劳伦特·比德尔、弗雷德里克·桑切特、锡德里克·杜克罗丝
代理人: 陶凤波
专利代理机构: 柳沈知识产权律师事务所(11105)
专利代理机构地址: 北京市朝阳区北辰东路8号汇宾大厦A0601(100101)
专利类型: 发明
公开号: 1966260
公告日:
授权日: 20
公告号: 0000000
优先权: 法国2005年11月18日0511708
审批历史:
附图数: 3
页数: 8
权利要求项数: 1
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