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专利号:200680001385
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溅镀装置、透明导电膜的制造方法

形成一种电阻值小,透过率高,对下层的有机EL膜不造成伤害的透明导电膜。在平行隔开有间隔而配置的第1、第2靶材(21a、21b)的间隙,与成膜对象物(5)的搬送路径(14)之间设置遮蔽板(31),使通过形成于遮蔽板(31)的放出孔(32)的溅镀粒子到达成膜对象物(5)。倾斜入射的溅镀粒子是被遮蔽板(31)所遮蔽,而形成低电阻且高透过率的透明导电膜。

溅镀装置、透明导电膜的制造方法

一种溅镀装置,其特征在于,包括:    真空槽;    将上述真空槽内真空排气的真空排气系统;    在上述真空槽内导入溅镀气体的溅镀气体导入系统;    在上述真空槽内以表面隔开既定间隔的方式配置的第1、第2靶材;    在成膜对象物的成膜面朝向由上述第1、第2靶材所夹的空间的状态下,以上述成膜对象物通过上述第1、第2靶材的侧方位置的方式沿着上述真空槽内的搬送路径搬送上述成膜对象物的搬送机构;    配置于上述第1、第2靶材与上述搬送路径之间,具有从上述第1、第2靶材放出并在上述搬送路径方向上飞行的溅镀粒子所通过的放出孔的遮蔽物。
 


  
专利号: 200680001385
申请日: 2006年7月12日
公开/公告日: 2007年11月28日
授权公告日:
申请人/专利权人: 株式会社爱发科
国家/省市: 日本(JP)
邮编:
发明/设计人: 浮岛祯之、高泽悟、竹井日出夫、石桥晓
代理人: 温大鹏
专利代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司(72001)
专利代理机构地址: 香港湾仔港湾道23号鹰君中心22字楼()
专利类型: 发明
公开号: 101080509
公告日:
授权日: 20
公告号: 000000000
优先权: 日本2005年7月19日208242/2005
审批历史:
附图数: 12
页数: 18
权利要求项数: 2
国际公布号: WO2007/010798
国际公布日: 2007年1月25日
国际公布语言:
国际申请号: PCT/JP2006/313874
国际申请日: 2006年7月12日
进入国家阶段日: 2007年6月7日
PCT:
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