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| 本发明涉及一种涂层及其制备方法。本发明所述的ＡｌＮ／Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］纳米多层膜由ＡｌＮ和Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］形成在金属或陶瓷的基体上，为交替沉积纳米量级的多层结构，各层厚度范围是：ＡｌＮ层厚度为２．０～１２ｎｍ，Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］层为０．４～１２．０ｎｍ，总厚度为１．０到５．０微米。制备时，首先将金属或陶瓷基体表面作镜面抛光处理，然后通过在金属或陶瓷的基体上采用纯Ａｌ和Ｓｉ靶进行双靶射频反应溅射方法交替沉积Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］层和ＡｌＮ层，通入高纯的Ａｒ和Ｎ↓［２］，制取ＡｌＮ／Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］纳米多层膜。ＡｌＮ／Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］多层膜的厚度通过增加多层膜的调制周期数获得。该纳米多层涂层的最大硬度３７．８ＧＰａ，明显高于其组成材料的。本发明所提供的ＡｌＮ／Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］纳米多层涂层可以获得很高的生产效率。 |
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AIN/Si*N*纳米多层硬质涂层及其制备方法
ＡｌＮ／Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］纳米多层硬质涂层，其特征在于由ＡｌＮ和Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］形成在金属或陶瓷的基体上交替沉积纳米量级的多层结构，各层厚度范围是：ＡｌＮ层厚度为２．０～１２ｎｍ，Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］层为０．４～１２．０ｎｍ，总厚度为１．０到５个微米。
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