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相变层及其制造方法和相变存储器件及其制造和操作方法 |
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| 提供一种相变层和形成相变层的方法以及包括该相变层的相变存储器件和该相变存储器件的制造和操作方法。该相变层由包括铟（Ｉｎ）的数量在大约１５ａｔ．％至大约２０ａｔ．％范围内的四元化合物形成。该相变层可以是Ｉｎ↓［ａ］Ｇｅ↓［ｂ］Ｓｂ↓［ｃ］Ｔｅ↓［ｄ］，其中锗（Ｇｅ）的数量在大约１０ａｔ．％≤ｂ≤大约１５ａｔ．％范围内，锑（Ｓｂ）的数量在大约２０ａｔ．％≤ｃ≤大约２５ａｔ．％范围内，以及碲（Ｔｅ）的数量在大约４０ａｔ．％≤ｄ≤大约５５ａｔ．％范围内。 |
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相变层及其制造方法和相变存储器件及其制造和操作方法
一种相变层，其包含包括Ｉｎ的数量ａ在大约１５ａｔ．％≤ａ≤大约２０ａｔ．％范围内的四元化合物。
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