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| 本发明公开了一种用球形粉制备高临界电流密度的ＭｇＢ↓［２］超导材料的方法。该方法的制备过程为：将干燥的球形镁粉和无定形硼粉按一定摩尔比混合，在氩气保护气氛下球磨，将球磨后的Ｍｇ、Ｂ混合粉末加入有机物粘结剂调匀，低温真空烘干，然后压制成块材或片材；将压制好的块材或片材用Ｎｂ或Ｔａ片包裹，置于真空退火炉中，在氩气保护气氛下，真空加热、保温、冷却后，即制备出ＭｇＢ↓［２］超导材料。本发明的方法简单易行，可以有效地将ＭｇＢ↓［２］晶粒尺度细化到纳米级，并且大大提高ＭｇＢ↓［２］的晶粒间连结性，可以提供有效的磁通钉扎中心，使ＭｇＢ↓［２］超导体在磁场下达到很高的临界电流密度。 |
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一种用球形镁粉制备MgB*超导材料的方法
一种用球形镁粉制备ＭｇＢ↓［２］超导材料的方法，其特征在于其制备过程为： （１）使用球形Ｍｇ粉和无定形Ｂ粉为原材料，球形Ｍｇ粉和无定形Ｂ粉按摩尔比１∶２混合后，在氩气保护气氛下用球磨罐球磨１～５小时； （２）将步骤（１）中经过球磨后的Ｍｇ粉和Ｂ粉混合粉末加入有机物烧结粘结剂调匀，采用程控单管烧结炉在５０～１２０℃低温真空烘干，然后压制成块材或片材，所述有机物烧结粘结剂的添加量为Ｍｇ粉和Ｂ粉混合粉末重量的３－５％； （３）将步骤（２）中制备的块材或片材用Ｎｂ或Ｔａ片包裹，置于真空退火炉中，待真空度达到１０↑［－３］Ｐａ以后，充入氩气保护，以１５～４５℃／分钟的升温速率加热，于６００～１０００℃保温０．５～３小时，最后以３～２０℃／分钟的冷却速度将其快速冷却，制备出ＭｇＢ↓［２］超导材料。
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