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| 本发明属于透明导电氧化物薄膜技术领域，具体为一种Ｐ型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺镍氧化铜（Ｃｕ↓［１－ｘ］Ｎｉ↓［ｘ］Ｏ）陶瓷靶，在基板温度为室温的条件下通过脉冲等离子体沉积技术（Ｐｕｌｓｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＰＰＤ），在适当的氧气压、脉冲电流和脉冲电压的条件下制备获得具有非晶结构的Ｐ型导电透明Ｃｕ↓［１－ｘ］Ｎｉ↓［ｘ］Ｏ薄膜。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的Ｐ型导电透明氧化物薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有较好的应用前景。 |
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一种p型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法
一种Ｐ型导电透明掺镍氧化铜薄膜，其特征在于该掺镍氧化铜薄膜材料为Ｃｕ↓［１－ｘ］Ｎｉ↓［ｘ］Ｏ，ｘ＝０．０１～０．１５，由脉冲等离子体沉积技术制备获得，其中薄膜厚度为３０－２００ｎｍ，最高电导率达到７．１Ｓ·ｃｍ↑［－１］，可见光区域的平均透射率高于６５％。
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