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| 本发明公开了一种单层有效的高温超导涂层导体缓冲层厚膜的制备工艺，它是用化学溶液法制备厚度足够的双轴织构Ｈｏ↓［ｘ］Ｃｅ↓［１－ｘ］Ｏ↓［２－δ］缓冲层薄膜。将醋酸铈和醋酸钬粉末溶解在丙酸和异丙醇的混合溶剂中，加热搅拌再加入乙酰丙酮得到前驱溶液，将基片在前驱溶液中涂覆后烘烤，然后真空退火，最后重复涂覆和真空退火几次，即可得到高温超导涂层导体缓冲层厚膜。所用前驱溶液的浓度在０．２～１．０ｍｏｌ／Ｌ为最佳。 |
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单层有效的高温超导涂层导体缓冲层厚膜的制备工艺
一种单层有效的高温超导涂层导体缓冲层厚膜的制备工艺，其特征在于：用化学溶液法（ＣＳＤ）制备厚度足够的双轴织构Ｈｏ↓［ｘ］Ｃｅ↓［１－ｘ］Ｏ↓［２－δ］（０．１≤ｘ≤０．５）缓冲层薄膜，该方法包括以下步骤： （１）按Ｈｏ和Ｃｅ元素的摩尔比为１∶５≤Ｈｏ∶Ｃｅ≤１∶１，分别称取适量的醋酸铈（Ｃｅ［ＣＨ↓［３］ＣＯＯ］↓［３］·１．５Ｈ↓［２］Ｏ）和醋酸钬（Ｈｏ［ＣＨ↓［３］ＣＯＯ］↓［３］·１．５Ｈ↓［２］Ｏ）有机盐粉末，将醋酸铈和醋酸钬粉末溶解在体积比为７∶３的丙酸和异丙醇的混合溶剂中，在６０～７０℃加热搅拌１０～３０ｍｉｎ后，再加入适量的乙酰丙酮并将温度提高到１００～１１０℃继续加热搅拌，待溶液均匀透明后即可停止搅拌；将溶液放烘箱中在５０～９０℃下烘烤４～６ｈ后得到前驱溶液； （２）将双轴织构的金属Ｎｉ－Ｗ基片在丙酮超声波中清洗２０ｍｉｎ，再用无水乙醇清洗并吹干； （３）涂层时，使基片在前驱溶液中停留１０～２０ｓ后以１～４ｃｍ／ｍｉｎ退出；将涂有前驱溶液的基片在烘箱中７０～１００℃烘烤１０～２０ｍｉｎ，然后放入通有体积百分比为Ａｒ＋５％Ｈ↓［２］混合气的真空管式炉中，升温过程中在１８０℃和６００℃分别停留１５ｍｉｎ和３０ｍｉｎ，升温到８００～１０００℃退火２～４ｈ，最后随炉冷却，即可得到双轴织构且均匀致密的Ｈｏ↓［ｘ］Ｃｅ↓［１－ｘ］Ｏ↓［２－δ］（０．１≤ｘ≤０．５）缓冲层薄膜； （４）重复（３）步骤２～３次，即可得到高温超导涂层导体缓冲层厚膜。
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