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专利号:200810050483
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磺化聚吡咙质子传输膜及其制备方法

本发明涉及磺化聚吡咙质子传输膜及其制备方法。将磺酸基团引入到聚吡咙聚合物中,大大的提高了该类聚合物的溶解性。该类聚合物具有良好的热稳定性、水解稳定性、氧化稳定性、及耐溶剂性能。由该类聚合物制备的质子传输膜的水解稳定性在140℃条件下可以大于200小时,在长度方向的尺寸变化小于15%,在140℃的测试条件下,膜的质子导电率都大于0.15S/cm。该类聚合物在质子交换膜燃料电池应用领域有应用价值。

磺化聚吡咙质子传输膜及其制备方法

磺化聚吡咙质子传输膜,其特征在于,构成该传输膜的聚合物的结构式Ⅰ、Ⅱ或Ⅲ如下:    ***    其中,R↓[2]为一种基团,它的结构式是下列结构中的任意一个:    ***    其中,R↓[4]为一种基团,它的结构式是下列结构中的任意一个:    ***。
 


  
专利号: 200810050483
申请日: 2008年3月14日
公开/公告日: 2008年8月13日
授权公告日:
申请人/专利权人: 中国科学院长春应用化学研究所
国家/省市: 长春(82)
邮编: 130022
发明/设计人: 张所波、李南文、刘佳
代理人: 马守忠
专利代理机构: 中国科学院长春专利事务所(22001)
专利代理机构地址: 吉林省长春市人民大街168号(130022)
专利类型: 发明
公开号: 101240080
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权:
审批历史:
附图数: 4
页数: 20
权利要求项数: 6
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