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专利号:200810064031
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一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法

一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法,它涉及一种提高TiNi合金在X-光下显影性的方法。它解决了现有技术中提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法存在工艺复杂、成本高、降低了TiNi合金的机械性能或是降低TiNi合金的相变温度的问题。其方法:将TiNi合金支架化学抛光后清洗、吹干,然后放入多弧离子镀炉中,先进行溅射清洗,再用钽离子轰击溅射清洗后的TiNi合金支架并沉积,然后冷却至室温取出。本发明一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法,不影响TiNi合金的相变温度和机械性能,工艺简单、成本低。

一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法

一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法,其特征在于提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法按以下步骤实现:一、将TiNi合金支架化学抛光,再放入丙酮中超声波清洗,然后吹干;二、吹干后的TiNi合金支架放入多弧离子镀炉中,抽真空至10↑[-4]~10↑[-5]Pa,再通入氩气至0.2~0.3Pa,在TiNi合金支架加上800~1100V的负偏压,进行溅射清洗,持续时间为20~40min;三、溅射清洗后,在弧流为70~80A、负偏压为100~500V的条件下用钽离子轰击TiNi合金支架并沉积,轰击时间为30~160min,然后冷却至室温取出,得镀钽层的TiNi合金支架。
 


  
专利号: 200810064031
申请日: 2008年2月25日
公开/公告日: 2008年7月30日
授权公告日:
申请人/专利权人: 哈尔滨工业大学
国家/省市: 哈尔滨(93)
邮编: 150001
发明/设计人: 隋解和、成艳、高智勇、蔡伟
代理人: 金永焕
专利代理机构: 黑龙江省松花江专利事务所(23109)
专利代理机构地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街26号四楼(150001)
专利类型: 发明
公开号: 101230445
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权:
审批历史:
附图数: 1
页数: 3
权利要求项数: 1
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