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专利号:200810082832
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通过微波烧结制备高密度陶瓷和金属陶瓷溅射靶

一种从粉末材料制造溅射靶的方法,包括步骤:提供至少一种原料粉末材料;使所述至少一种原料粉末材料形成密度大于理论最大密度之大约40%的生坯;用微波处理所述生坯以形成密度大于理论最大密度之大约97%的烧结体;以及,从该烧结体形成溅射靶。该方法特别地适用于包括电介质和金属陶瓷材料的靶的制造中。

通过微波烧结制备高密度陶瓷和金属陶瓷溅射靶

一种从粉末材料制造溅射靶的方法,其包括步骤:    (a)提供至少一种原料粉末材料;    (b)使所述至少一种原料粉末材料形成具有大于理论最大密度的大约40%的密度的生坯;    (c)用微波处理所述生坯,以形成密度大于理论最大密度大约97%的烧结体;和    (d)从所述烧结体形成溅射靶。
 


  
专利号: 200810082832
申请日: 2008年2月28日
公开/公告日: 2008年9月3日
授权公告日:
申请人/专利权人: 贺利氏有限公司
国家/省市: 美国(US)
邮编:
发明/设计人: 杨峰林、A·戴斯、C·德林顿、B·孔克尔
代理人: 赵蓉民 路小龙
专利代理机构: 北京纪凯知识产权代理有限公司(11245)
专利代理机构地址: 北京市西城区宣武门西大街甲129号金隅大厦602室(100031)
专利类型: 发明
公开号: 101255546
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权: 美国2007年3月1日60/904,185美国2007年12月4日11/950,240
审批历史:
附图数: 1
页数: 9
权利要求项数: 3
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