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| 本发明公开了一种半导体器件及制造ＢＯＡＣ／ＣＯＡ的方法。半导体器件的ＢＯＡＣ／ＣＯＡ通过以下步骤制造：在半导体器件之上形成导电焊盘；在包括导电焊盘的半导体器件之上形成钝化氧化膜；在导电焊盘和钝化氧化膜的整个表面上形成氧化膜；在导电焊盘上形成限定结合焊盘区的氧化膜图案；在氧化膜图案、钝化氧化膜和导电焊盘之上依次地形成屏蔽膜和金属种子层；在金属种子层之上形成金属层；整平金属层，从而使氧化膜图案以及屏蔽膜和金属种子层的一部分露出；以及通过蚀刻工艺去除氧化膜图案。 |
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半导体器件和用于制造BOAC/COA的方法
一种半导体器件，包括： 形成在半导体衬底之上的导电焊盘； 形成在所述半导体衬底之上和所述导电焊盘的一部分之上的钝化氧化膜； 形成在所述导电焊盘和所述钝化氧化膜之上的屏蔽膜； 形成在所述屏蔽膜之上的金属种子层；以及 形成在包括所述金属种子层的所述导电焊盘之上的金属层，所述金属层限定结合焊盘区，其中所述屏蔽膜和所述金属种子层设置在所述金属层的侧壁上。
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