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专利号:200810096001
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溅射薄膜形成方法、电子器件制造方法以及溅射系统

一种溅射薄膜形成方法,其与薄膜将形成于其上的衬底10的表面倾斜地定位目标4和5,以及在薄膜将形成于其上的衬底10的表面上在倾斜方向上形成薄膜,同时相对于垂直轴旋转衬底10,在从薄膜形成开始的预先确定时间终止薄膜的形成,其中当衬底旋转360度×n+180度+α,其中n是包括0的自然数,并且-10度<α<10度时,终止薄膜的形成。

溅射薄膜形成方法、电子器件制造方法以及溅射系统

一种溅射薄膜形成方法,包括步骤:    与薄膜将形成于其上的衬底的表面倾斜地定位目标,以及在薄膜将形成于其上的衬底的表面上形成薄膜,同时相对于与衬底表面垂直的轴旋转衬底;以及    在从薄膜形成开始的预先确定时间终止薄膜的形成,    其中当衬底旋转360度×n+180度+α时,终止薄膜的形成,其中n是包括0的自然数,并且-10度<α<10度。
 


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专利号: 200810096001
申请日: 2008年4月25日
公开/公告日: 2008年10月29日
授权公告日:
申请人/专利权人: 佳能安内华股份有限公司
国家/省市: 日本(JP)
邮编:
发明/设计人: 北野尚武、山田直树、角田隆明、山口述夫、小须田求
代理人: 秦晨
专利代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所(11038)
专利代理机构地址: 北京市阜成门外大街2号8层(100037)
专利类型: 发明
公开号: 101295631
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权: 日本2007年4月26日2007-116319日本2008年4月7日2008-099786
审批历史:
附图数: 11
页数: 13
权利要求项数: 2
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