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专利号:200810106312
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一种溅射镀膜装置和方法

本发明公开了一种溅射镀膜装置和方法,该装置包括真空室、溅射系统、真空泵,所述真空泵包括气体捕集式真空泵和非气体捕集式真空泵,所述气体捕集式真空泵直接设置在真空室内,或设置在一与真空室相连的隔腔中,该隔腔与真空室之间设置有超高真空阀门。本发明所提供的溅射方法,在溅射装置中加入了吸气剂泵,将工作气体进一步纯化,大大降低了活性气体对薄膜材料的污染,提高了薄膜的生长质量,特别是对于一些活性较强的材料有很明显的效果。另外由于不需要持续输入工作气体,也大大节省了工作气体的用量,节约了成本。

一种溅射镀膜装置和方法

一种溅射镀膜装置,其特征在于,包括真空室、溅射系统、真空泵,所述真空泵包括气体捕集式真空泵和非气体捕集式真空泵,所述气体捕集式真空泵直接设置在真空室内,或设置在一与真空室相连的隔腔中,该隔腔与真空室之间设置有超高真空阀门。
 


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专利号: 200810106312
申请日: 2008年5月12日
公开/公告日: 2008年9月24日
授权公告日:
申请人/专利权人: 中国科学院物理研究所
国家/省市: 北京(11)
邮编: 100190
发明/设计人: 金贻荣、张殿琳、宋小会
代理人: 尹振启
专利代理机构: 水利电力专利事务所(11003)
专利代理机构地址: 北京市德外六铺炕水利部信息研究所内(100011)
专利类型: 发明
公开号: 101270466
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权:
审批历史:
附图数: 1
页数: 3
权利要求项数: 1
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