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专利号:200810123914
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二氧化钛纳米管复合电极的室温制备方法

一种二氧化钛纳米管复合电极的室温制备方法,涉及电极材料和半导体薄膜制备工艺。其制备的方法:首先采用磁控溅射的方法在基片上沉积纯钛薄膜,溅射参数:溅射功率105-150W,工作压强0.1-0.5Pa,基片不加热,溅射时间为0.5-2h;然后在室温条件下阳极氧化钛膜得到规整排列的TiO↓[2]纳米管阵列,阳极氧化参数为:钛膜试样为阳极,铂片作为阴极,两极间的距离为10-50cm,电解液中物质质量比为H↓[3]PO↓[4]∶HF∶H↓[2]O=10∶0.5-1∶100,恒定电压为10-20V;该电极可广泛应用于透明光学器件(如染料敏化太阳能电池,电致变色器件等)及气体传感器,也适合于微型化器件的组装和柔性电极的制备。

二氧化钛纳米管复合电极的室温制备方法

一种二氧化钛纳米管复合电极的室温制备方法,其特征在于包括以下步骤:    ①基片上高密度纯钛薄膜的室温制备:    先超声清洗基片,溅射真空度达到要求后,在溅射功率105-150W,氩气压强0.1-0.5Pa,基片不加热,溅射时间为0.5-2h的参数下沉积钛薄膜;    ②TiO↓[2]纳米管复合电极的室温制备:    将溅射后的试样嵌套在金属夹具上作为阳极,后将整个试样完全浸入到电解液中室温下进行阳极氧化;其中铂片作为阴极,两极间的距离为10-50cm,电解液中物质质量比为H↓[3]PO↓[4]∶HF∶H↓[2]O=10∶0.5-1∶100,恒定电压为10-20V,反应时间为30-60min。
 


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专利号: 200810123914
申请日: 2008年5月29日
公开/公告日: 2008年10月15日
授权公告日:
申请人/专利权人: 南京航空航天大学
国家/省市: 南京(84)
邮编: 210016
发明/设计人: 陶杰、汤育欣、陶海军、张焱焱、王玲、包祖国
代理人: 魏学成
专利代理机构: 东南大学专利事务所(32200)
专利代理机构地址: 江苏省南京市四牌楼二号(210018)
专利类型: 发明
公开号: 101285192
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权:
审批历史:
附图数: 4
页数: 5
权利要求项数: 2
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