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专利号:97102818
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运算放大电路

一种运算放大电路,无交叉失真且能在低电源电压下驱动高负载,包括第一和第二差分放大电路、电平移动电路、电流源和输出电路。两放大电路各有两个N和两个P沟道MOS晶体管,其栅极分别与第一和第二输入端相连,按两端的电压差各输出一电压;电平移动电路输出通过移动加到晶体管的电压而获得的电压;电流源对该电路的晶体管提供预定强度的电流;输出电路具有栅极加有该电路输出电压的P和N沟道MOS晶体管,按其状态输出电压。

运算放大电路

一种运算放大电路,包括: 第一差分放大电路,具有一个其栅极与第一输入端相连的N沟道MOS晶体管和一个其栅极与第二输入端相连的N沟道MOS晶体管,它根据所述第一和第二输入端之间的电压差输出一电压; 第二差分放大电路,具有一个其栅极与所述第一输入端相连的P沟道MOS晶体管和一个其栅极与所述第二输入端相连的P沟道MOS晶体管,它根据所述第一和第二输入端之间的电压差输出一电压; 第一电平移动电路,具有一个其栅极加有从所述第一差分放大电路输出电压的P沟道MOS晶体管和一个N沟道MOS晶体管,且输出通过移动加到P沟道MOS晶体管上的电压电平而获得的一电压。 第二电平移动电路,具有一个其栅极加有从所述第二差分放大电路输出电压的N沟道MOS晶体管和一个P沟道MOS晶体管,且输出通过移动加到N沟道MOS晶体管上的电压电平而获得的一电压。 第一电流源,对所述第一电平移动电路中的N沟道MOS晶体管提供第一预定强度的电流; 第二电流源,对所述第二电平移动电路中的P沟道MOS晶体管提供第二预定强度的电流; 输出电路,具有一个其栅极加有从所述第一电平移动电路输出电压的P沟道MOS晶体管和一个其栅极加有从所述第二电平移动电路输出电压的N沟道MOS晶体管,且根据所述P沟道MOS晶体管和所述N沟道MOS晶体管的状态输出一电压。
 


  
专利号: 97102818
申请日: 1997年2月22日
公开/公告日: 1997年11月19日
授权公告日: 2002年5月1日
申请人/专利权人: 冲电气工业株式会社
国家/省市: 日本(JP)
邮编:
发明/设计人: 山田敏己、大竹久雄
代理人: 张志醒 王忠忠
专利代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司(72001)
专利代理机构地址: 香港湾仔港湾道23号鹰君中心22字楼()
专利类型: 发明
公开号: 1165427
公告日:
授权日: 20
公告号: 1084085
优先权: 日本1996年2月23日36190/96
审批历史: 2005年4月20日因费用终止日
附图数: 3
页数: 9
权利要求项数: 4
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