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钱眼专利首页 > 辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的 的专利共 86 条
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1
熔丝电路　[申请号/专利号：200510068001]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种熔丝电路，提供可预期的总阻抗，用以多次循环地烧录，该熔丝电路包括：多个熔丝阶，以串联方式排列。每一熔丝阶包括，一第一及第二连接节点、一熔丝、一第一、第二电...
2005年11月9日
2
半导体存储器件和输出数据信号的方法　[申请号/专利号：200510062503]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
一种半导体存储器件，包括第一至第三数据总线、第一连接电路和第二连接电路。第一连接电路位于第一数据总线和第二数据总线之间，响应第一选择信号来对从存储部分读出的第一数据总线...
2005年10月5日
3
用在半导体存储器件中的工作周期校正设备及方法　[申请号/专利号：200510058926]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明是有关于一种工作周期校正设备，其能以小尺寸来实施以及能更快速地执行相位锁定并减少电流消耗量，及其方法。基于此，依据本发明的用于半导体存储器件中的该工作周期校正器件...
2005年11月2日
4
半导体集成电路装置　[申请号/专利号：200510053756]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明公开了一种半导体集成电路装置，在不降低数据处理性能的情况下，多个逻辑电路能够共用ＤＲＡＭ块。ＤＲＡＭ块１４由ＤＲＡＭ１４、１５构成。逻辑电路１１、１２通过存取电路...
2005年9月14日
5
内存组件　[申请号/专利号：200510004184]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
一内存组件包含一存储单元阵列（７４）、讯号输入（１８）、输入放大器（３８），其系连接至各讯号输入（１８）以便接收、放大与输出资料、地址或控制讯号、该存储单元阵列（７４）...
2005年9月21日
6
半导体存储装置的内部电压产生电路　[申请号/专利号：200510003875]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本文揭示了一种半导体存储装置的内部电压产生电路，其能够根据该存储装置的不同运行模式将不同电平的电压供应给该存储装置中的列路径和控制逻辑以及数据路径和控制逻辑。当该列路径...
2005年10月19日
7
包括自身ID信息的存储器件　[申请号/专利号：200410103718]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明公开了一种包括自身ＩＤ信息的存储器件。该存储器件具有用于存储关于该存储器件的信息如制造工厂、制造日期、晶片号码，晶片上的坐标等的存储单元。存储器件的每个存储体都存...
2005年11月2日
8
同步多端口存储器装置　[申请号/专利号：200410102896]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明揭露一种同步存储器装置及一种同步多端口存储器装置，其能依据数据传送路径来防止数据与数据选通信号间的偏斜。为了去除此位置相依性，上述同步存储器装置及同步多端口存储器...
2005年11月9日
9
激活由行地址启动的字线段的方法和半导体存储器件　[申请号/专利号：200410102358]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种用于激活基于提供给存储器的行地址而选择的半导体存储器的字线段的方法，包括：激活由行地址和命令类型选择的第一字线段；以及避免激活由行地址选择的第二字线段。还公开了相关...
2005年6月15日
10
半导体器件　[申请号/专利号：200410101949]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明的一个目的是提供一种半导体器件，在该半导体器件中，即使地址选择被延迟了，但通过避免误动作仍可以准确地进行数据的读写。本发明的半导体器件具有三个部分：数据保持单元、...
2005年6月15日
11
具有串行输入/输出接口的多端口存储器装置　[申请号/专利号：200410096817]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
提供一种具有串行输入／输出接口的多端口存储器装置，包括：存储器核心；控制方块，使用以一封包形成输入至上述多个端口的命令及地址，以产生对应于命令及上述存储器核心的操作所需...
2005年11月9日
12
锁存电路和包括该电路的同步存储器　[申请号/专利号：200410096249]
申请人/专利权人：尔必达存储器株式会社
一种具有对应于和外部输出信号同步的两个内部时钟信号的锁存电路的两个锁存系统。该内部时钟信号和外部时钟信号的上升沿同步，并被产生为具有对应于外部时钟信号外部时钟频率１／２...
2005年6月15日
13
交叉配置记忆空间的方法　[申请号/专利号：200410092717]
申请人/专利权人：威盛电子股份有限公司
本发明是关于一种交叉配置记忆空间的方法，是揭露一种利用动态随机记忆体（Ｄｙｎａｍｉｃ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ，ＤＲＡＭ）所组成的记忆体单元的逻辑位址码...
2005年4月13日
14
带有可编程接收器以改善性能的存储器件　[申请号/专利号：200410091221]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明揭示了一种具有多个可有选择地供以不反相或反相的信号的ＤＲＡＭ的存储系统。这些ＤＲＡＭ能够从一个同时驱动多个信号的寄存器接收不反相或反相的地址／命令信号。这种系统包...
2005年6月8日
15
在半导体存储器装置中的片内终结上的模式转移电路　[申请号/专利号：200410088904]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
一种片内终结（ＯＤＴ）模式转移电路，用于一半导体存储器装置中，包括：一延迟锁定回路（ＤＬＬ），用以接收一外部时钟信号，以便依据一断电模式及一工作－备用模式产生一ＤＬＬ时...
2005年8月17日
16
延迟闭锁回路装置　[申请号/专利号：200410088680]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
一种在一半导体存储装置中用于检测一延迟闭锁回路时钟的闭锁信息的装置，包括：一延迟闭锁回路，产生第一比较信号和第一延迟结束信号；一相位状态储存模块，接收该第一比较信号和该...
2005年11月9日
17
多端口存储装置　[申请号/专利号：200410088568]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
提供一种半导体存储装置的列修复技术（ｃｏｌｕｍｎ　　ｒｅｐａｉｒ　　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）。上述半导体存储装置包括：一正规总线连接部，用以在每一排组的多个总体数据总线与...
2005年11月9日
18
电平转换器　[申请号/专利号：200410085960]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
本发明乃与一种电平转换器（１０１ａ、１０１ｂ）有关，该电平转换器乃用于将包括一第一电压电平（Ｖｉｎｔ）并被供应至该电平转换器的一信号（ｉｎ）转换成为包括不同于该第一电压...
2005年4月27日
19
半导体存储器设备与定时控制方法　[申请号/专利号：200410080635]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明公开了一种半导体存储器设备（１０），用于适当地控制访问存储器单元（２１）的数据的定时。半导体存储器设备包括存储器单元。连接到存储器单元的位线（ＢＬ、ＸＢＬ）用于访...
2005年9月21日
20
能调节数据输出驱动器的阻抗的半导体存储器件　[申请号/专利号：200410076966]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
一种半导体存储器件包括：数据输入／输出垫；数据输入单元，用于缓冲和锁存在数据存取操作期间通过输入／输出垫而输入的数据信号，或者用于缓冲和锁存在ＯＣＤ校准控制操作期间通过...
2005年4月13日
21
用于掩盖写入振荡的数据传送控制设备及其方法　[申请号/专利号：200410076697]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明涉及一种用于掩盖当ＤＤＲ　ＳＤＲＡＭ中的写入操作完成时发生的数据选通的振荡的数据传送控制设备。该用于掩盖ＤＤＲ　ＳＤＲＡＭ中的写入振荡的数据传送控制设备可方便地用...
2005年2月9日
22
半导体存储器设备和预充电控制方法　[申请号/专利号：200410073988]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明公开了半导体存储器设备和预充电控制方法。一种半导体存储器设备（１０、２０、３０、４０）对位线（Ｂｉｔ、ＸＢｉｔ）快速预充电并缩短了访问存储器单元（１２）的周期时间...
2005年9月28日
23
读出放大器驱动器和包括该驱动器的半导体器件　[申请号/专利号：200410061815]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供一种读出放大器驱动器和包括这种读出放大器驱动器的半导体器件。该读出放大器驱动器输出用于启动读出放大器的启动信号，该读出放大器驱动器包括：第一反相器，它接收输入信号和...
2005年2月9日
24
可程序金属氧化半导体存储电路及其可程序方法　[申请号/专利号：200410057175]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
一种可程序金属氧化半导体存储电路及其可程序方法；该存储电路包括一第一、第二Ｎ型晶体管，其栅极连接漏极，并可耦接第一控制电压准位，其源极均耦接第二控制电压准位；其中，该第...
2005年9月21日
25
用于域交连的半导体装置　[申请号/专利号：200410037577]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明提供了一种用于半导体装置以提供域交连操作的设备，包括：域交连感测块，用于产生多个选择信号，以响应操作模式信号、第一和第二延迟锁定回路（ＤＬＬ）时钟信号以及列地址选...
2004年12月1日
26
半导体存储器件　[申请号/专利号：200410035292]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种包括多个含有连接在多个字线和多个位线对之间的多个存储单元的存储单元阵列块的半导体存储器件，该器件包括：每一个存储器单元阵列块，包括具有响应多个写控制信号...
2004年12月1日
27
行冗余熔丝闩锁电路技术　[申请号/专利号：200410030457]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
代表一装置的一数组部分中之失效组件的地址信息被传送，失效地址位值被个别地储存于复数熔丝之中，个别与一另一地址之一部分的一值相连结的一信号被接收，当信号被接收后，失效地址...
2004年11月3日
28
半导体存储装置及其检测方法　[申请号/专利号：200410012100]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明涉及具备下述构件的半导体存储装置，所述构件即存储单元排列成行列状的存储单元阵列、共同连接于所述存储单元阵列的同一行的储存单元上的行线、共同连接于所述存储单元阵列的...
2005年3月30日
29
半导体器件及其控制方法　[申请号/专利号：200410056444]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本文公开了能够在写入恢复时间（ｔＷＲ）期间，通过重写最后写入数据减少数据写入错误的半导体器件和控制它的方法。该半导体器件包括由数个重复单元组成的存储单元阵列；位线放大器...
2005年2月16日
30
决定内存模块修补方案之方法及测试装置　[申请号/专利号：200410005878]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
在一测试系统中决定一内存模块之修补方案之方法，内存模块之内存区域被连续地测试以获得，对于每一内存区域，一缺损数据，其指出是否相关的内存区域为有缺陷的，其中缺损地址，其缺...
2004年11月3日
31
在动态存储器中实现查表控制器的方法　[申请号/专利号：200410005143]
申请人/专利权人：华为技术有限公司
本发明公开了一种使用动态存储器的高性能查表控制器的实现方法，该方法为：将所述动态存储器的各页面作为相互独立的非连续的存储空间，并且以页面为单位分配给所述表；结合表的镜像...
2005年8月10日
32
同步动态随机存取存储器的写入路径电路　[申请号/专利号：200410006603]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明公开一种同步动态随机存取存储器的写入路径电路，包括：一数据转换单元，用于将串行输入数据信号转换成一并行输出数据；一多工器，用于根据一第一模式选择信号及一第二模式选...
2005年3月9日
33
半导体集成电路和集成电路卡　[申请号/专利号：200410002495]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技、日立超大规模集成电路系统株式会社
待机状态下存储器中浪费的功耗被降低了而不降低从存储器读出数据的操作速度。半导体集成电路具有能够进入激活状态或待机状态的存储器，且存储器具有存储单元与之连接的位线和源线的...
2004年9月1日
34
半导体存储器件　[申请号/专利号：200410001983]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明提供一种半导体存储器件，其中设有：包含多个复制单元（ＲＭＣ）的复制电路，该复制单元具有与存储阵列内的存储单元相同的元件，将对应于级数的信号输出至共用的复制位线；读...
2004年8月25日
35
具有存储部件的存储器　[申请号/专利号：03110799]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
提供一种可抑制非选择单元中的干扰现象的存储器。该存储器具备位线、与位线交叉配置的字线、和连接在位线和字线之间的第１存储部件，其中，通过读取动作和再写入动作，向非选择存储...
2003年10月29日
36
可稳定工作的半导体存储器　[申请号/专利号：03107908]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
半导体存储器包含电源电路（７０）。电源电路（７０）包括生成第１基准电压（ＶＲＥＦＤ）的基准电压发生电路（７２）；利用第１基准电压（ＶＲＥＦＤ）将外部电源电压（ＥＸＴＶＤ...
2004年2月11日
37
半导体存储装置及其驱动方法　[申请号/专利号：03107287]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种半导体存储装置及其驱动方法，各存储器单元块（ＭＣ）具有：选择晶体管（Ｑ）和铁电电容器（Ｃ）构成的多个存储器单元、选择晶体管（ＱＲＥＦ）和铁电电容器（ＣＲＥＦ）构成的...
2003年10月8日
38
具有外部数据加载信号的存储器件及其串并数据预取方法　[申请号/专利号：03105434]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
披露了一种半导体存储器系统，一种存储器控制电路和一种半导体存储器器件。所述系统包括用于生成彼此同步的数据选通信号和数据加载信号的存储器控制电路。所述存储器电路可以是一Ｓ...
2005年7月13日
39
闪存介质中的数据管理方法　[申请号/专利号：03104983]
申请人/专利权人：深圳市朗科科技有限公司
本发明提供闪存介质中的数据管理方法，其特征在于在对存储块进行操作的过程中，将所述块的状态标志设置为未完成状态；操作完成之后，再将状态标志从未完成状态设置为完成状态。利用...
2004年8月4日
40
消除动态随机处理内存的短路漏泄电流的电路　[申请号/专利号：03100692]
申请人/专利权人：华邦电子股份有限公司
本发明公开一种消除动态随机处理内存的短路漏泄电流的电路，包括一块检测电路，用于在检测到该动态随机处理内存的位线和字线间短路时，启动一短路控制信号；以及一字线驱动电路，连...
2004年8月4日
41
可降低最低工作电压的存储元件的读取电路　[申请号/专利号：03100073]
申请人/专利权人：中颖电子（上海）有限公司
一种可降低最低工作电压的存储元件的读取电路。本发明将位线连接于存储单元的漏极，而将字符线连接于存储单元的栅极。由于存储单元的漏极在读取时会有直流路径，所以会有较大的功率...
2004年7月28日
42
半导体存储器　[申请号/专利号：03824440]
申请人/专利权人：富士通株式会社
多个标志被形成以对应于各自的存储器单元组，每个存储器单元组由多个易失性存储器单元组成。每个标志指示存储器单元以第二存储器模式存储数据。在将模式从第一存储器模式改变到第二...
2005年10月26日
43
半导体存储装置　[申请号/专利号：03823769]
申请人/专利权人：富士通株式会社
一种半导体存储装置，其特征在于，包括：被排列成多列的多个字译码器；多个字线选择移位寄存器，为了指示刷新对象的字线而与多个字译码器分别对应地设置；以及移位控制信号生成电路...
2005年10月26日
44
半导体存储装置　[申请号/专利号：03823201]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明提供了一种半导体存储装置，其包括：向存储单元存储数据的存储器核心电路、以某种刷新间隔对所述存储单元进行刷新的电路、检测温度的温度检测器、以及控制电路，其中所述控制...
2005年10月19日
45
半导体存储器中的自动预充电控制电路及其方法　[申请号/专利号：03104482]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种半导体存储器中的自动预充电控制电路及其方法，其中自动预充电起始点可以根据至少一个控制信号、包括时钟频率信息的至少一个控制信号、频率和／或等待时间信息、或从模式寄存器...
2003年10月15日
46
包含能产生足够恒定延时信号的延时电路的半导体存储器　[申请号/专利号：03101052]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
公开了一种具有位线感知使能信号生成电路的半导体存储器件。该半导体存储器件，包括：字线选择信号生成电路，用于为选择字线而生成字线选择信号；延时电路，用于通过将参考信号延时...
2003年7月30日
47
存储器故障消除电路　[申请号/专利号：200310118080]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明提供了一种存储器故障消除电路，当提供冗余电路来消除半导体存储器件的次品时，并且然后半导体存储器件没有缺陷，甚至向未使用冗余的电路也不便于提供电源来产生不需要的泄漏...
2004年7月14日
48
用于改变在半导体存储器器件中的页长的电路和方法　[申请号/专利号：200310116318]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明涉及一种半导体存储器器件，其具有使用户可以改变半导体存储器器件的页长的结构。本发明还涉及用于改变半导体存储器器件的页长的电路和方法，其使得能够选择性地激活存储单元...
2004年6月9日
49
动态随机存取存储器的输出驱动强度校正电路及方法　[申请号/专利号：200310114957]
申请人/专利权人：威盛电子股份有限公司
一种动态随机存取存储器的输出驱动强度校正电路及方法，应用一驱动强度自动补偿电路，来将存储器控制芯片的输出发生器的阻值，调整为动态随机存取存储器的输出驱动强度的目标值，故...
2004年11月10日
50
半导体存储装置及其控制方法　[申请号/专利号：200310113130]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
本发明提供一种半导体存储装置及其控制方法，首先，在刷新动作时，从存储单元读出的数据不是立即回写到存储单元，而是把数据暂时保存在刷新用读出放大器（９２）内。接着，对来自外...
2004年7月7日
 

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