用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入-钱眼专利分类

长寿命离子源中的间热式阴极固定装置　[申请号/专利号：200620113057]
申请人/专利权人：北京中科信电子装备有限公司
本实用新型公开了一种长寿命离子源中的间热式阴极固定装置，包括石墨热屏蔽板、阴极连接螺孔、两固定连接孔、两阴极引线螺孔及两定位销钉：所述的石墨热屏蔽板为高纯石墨材料，具有...

离子源引出缝调节控制系统　[申请号/专利号：200620113054]
申请人/专利权人：北京中科信电子装备有限公司
本实用新型公开了一种离子源引出缝调节控制系统，包括主控制器、模拟量控制电路、直流电机、电位器和反馈控制驱动电路，其中模拟量控制电路一端通过光纤与主控制器连接，另一端与反...

一种无油高压倍加器　[申请号/专利号：200620113051]
申请人/专利权人：北京中科信电子装备有限公司
本实用新型公开了一种无油高压倍加器，包括金属板，金属圆盘，倍压整流板，右边倍压电容板，左边倍压电容板，倍压输出滤波电容板，电压取样板，绝缘支撑杆，倍压整流板与右边倍压电...

水冷等离子淋浴器的送气系统　[申请号/专利号：200620113050]
申请人/专利权人：北京中科信电子装备有限公司
本实用新型公开了一种水冷等离子淋浴器的送气系统，该系统包括一个气瓶、四个气动阀、两个压力表、一个调压阀、一个过滤器、一个质量流量计。本实用新型结构简单，能保证送气气体的...

使用光发射光谱仪的原位剂量监控　[申请号/专利号：200810008211]
申请人/专利权人：应用材料股份有限公司
本发明主要提供了用于在等离子体工艺期间监控离子剂量的方法和装置。本发明的一个实施方式提供一种用于处理衬底的方法，包括生成所述等离子体的至少一种属性和剂量数量之间的相关性...

2008年11月19日

用于环形源反应器的具有高均匀腔室干燥工艺的等离子体浸没离子注入　[申请号/专利号：200810097587]
申请人/专利权人：应用材料股份有限公司
本发明提供了一种用于环形源反应器的具有高均匀腔室干燥工艺的等离子体浸没离子注入方法，该腔室具有顶部侧壁和柱状侧壁以及面向该顶部的支撑底座。该方法包括在晶片支撑底座的外围...

2008年11月19日

用于控制流到处理腔室的气流的方法和装置　[申请号/专利号：200810006332]
申请人/专利权人：应用材料股份有限公司
本发明提供一种用于将气体输送到半导体处理系统的方法和装置。在一个实施方式中，用于将气体输送到半导体处理系统的装置包括具有入口和出口的多个气体输入和输出管道。连接管道耦接...

2008年9月3日

用于控制流到处理腔室的气流的方法和装置　[申请号/专利号：200810006330]
申请人/专利权人：应用材料股份有限公司
本发明提供一种用于将气体输送到半导体处理系统的方法和装置。在一个实施方式中，用于将气体输送到半导体处理系统的装置包括具有入口和出口的多个气体输入和输出管道。连接管道耦接...

2008年9月3日

一种离子束传输控制优化方法　[申请号/专利号：200610072967]
申请人/专利权人：北京中科信电子装备有限公司
本发明公开了一种离子束传输控制优化方法，包括如下步骤：（１）调节偏转电源，使得聚焦杯获得束流极大值；（２）调节Ｑ１电源，使得聚焦杯获得束流极大值；（３）调节Ｑ２电源，使...

2006年11月22日

一种离子源自动引束方法　[申请号/专利号：200610072965]
申请人/专利权人：北京中科信电子装备有限公司
本发明公开了一种离子源自动引束方法，包括如下步骤：（１）灯丝加热、稳定：将灯丝电源和阳极电源电压加至设定的数值，等待离子源真空稳定并达到送气真空标准；（２）送气：开启注...

2006年11月15日

一种平行束注入角度测量方法　[申请号/专利号：200610072964]
申请人/专利权人：北京中科信电子装备有限公司
本发明公开了一种平行束注入角度测量方法，使用了移动法拉第、测束法拉第，测量步骤为：（１）通过移动法拉第遮挡离子束，使测束法拉第形成相应的电流曲线图；（２）根据公式计算出...

2006年11月15日

离子注入装置　[申请号/专利号：200710193462]
申请人/专利权人：日新离子机器株式会社
...

2008年6月4日

用强流脉冲离子束对电子束物理气相沉积涂层的封顶技术　[申请号/专利号：200610134323]
申请人/专利权人：大连理工大学
材料表面改性领域中，用强流脉冲离子束对电子束物理气相沉积涂层的封顶技术，包括在耐高温的零部件基体１表面沉积金属粘结层２，陶瓷层３和建立陶瓷层表面的封顶层７，特征：在真空...

2007年4月18日

大连

用于控制流到处理腔室的气流的方法和装置　[申请号/专利号：200810006331]
申请人/专利权人：应用材料股份有限公司
本发明提供一种用于将气体输送到半导体处理系统的方法和装置。在一个实施方式中，用于将气体输送到半导体处理系统的装置包括具有入口和出口的多个气体输入和输出管道。连接管道耦接...

2008年9月3日

用离子束注入衬底　[申请号/专利号：200610066038]
申请人/专利权人：应用材料有限公司
本发明涉及一种衬底注入方法，其包含：沿着一系列在第一方向延伸的扫描线相对于衬底扫描离子束，使所述衬底与所述离子束之间产生相对旋转，沿着在不同方向的第二系列扫描线扫描所述...

2006年10月4日

离子注入机　[申请号/专利号：200710167994]
申请人/专利权人：日新意旺机械股份有限公司
一种离子注入机，具有：生成离子束的离子源；电子束源，发射电子束以便在离子源中在Ｙ方向上被扫描；用于这些源的电源；离子束监控器，在注入位置附近，测量离子束的Ｙ方向离子束电...

2008年5月7日

质子交换膜燃料电池不锈钢双极板的表面改性方法　[申请号/专利号：200810033288]
申请人/专利权人：上海交通大学
本发明是一种能源技术领域的质子交换膜燃料电池不锈钢双极板的表面改性方法，采用离子注入的方法将镍离子注入不锈钢薄板中，在不锈钢薄板表面几十纳米范围内形成注入层，得到改性后...

2008年8月20日

用于离子注入机的挡束器　[申请号/专利号：200710136092]
申请人/专利权人：应用材料有限公司
...

2008年1月23日

离子束照射装置　[申请号/专利号：200710112133]
申请人/专利权人：日新意旺机械股份有限公司
本发明提供一种即使离子源具有分割结构的电极，也能够对靶施行均匀性良好的处理的离子束照射装置。该离子束照射装置具有引出离子束的离子源、和在从它引出来的离子束的照射区域内，...

2008年1月2日

离子注入机中的离子束　[申请号/专利号：200710108987]
申请人/专利权人：应用材料有限公司
本发明涉及一种调节诸如可用在半导体器件制造中的离子注入机中的离子束的方法。存在许多与离子注入机的操作相关的操作参数，这些操作参数影响到达晶片的离子束。控制这些参数允许对...

2007年12月12日

高电流离子植入系统及其中的改良装置和绝缘体　[申请号/专利号：200710106828]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明公开了一种高电流离子植入系统及其中的改良装置和绝缘体。该离子植入系统，包括保持高电位的一离子源，一接地末端平台用以支撑基板，以及多个萃取电极从一离子源加速离子，并...

2007年11月14日

台湾

一种离子注入设备　[申请号/专利号：200620048877]
申请人/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
本实用新型涉及一种离子注入设备。现有的离子注入设备因通过电磁驱动装置驱动离子束水平运动，而存在离子注入设备体积过大及成本过高的问题。本实用新型的离子注入设备，其包括底座...

离子束测定装置、测定方法和离子束照射装置　[申请号/专利号：200710092028]
申请人/专利权人：日新意旺机械股份有限公司
本发明提供一种不需要复杂的运算处理，就能够测定从具有多孔电极的离子源的离子引出孔出射时的离子束带有的特性的装置和方法。该离子束测定装置（４０ａ）具有：使从离子源（２）的...

2007年10月10日

离子束测量方法和离子注入装置　[申请号/专利号：200610149348]
申请人/专利权人：日新意旺机械股份有限公司
当由前级叶片驱动装置沿ｙ方向驱动前级束约束叶片时，测量经过前级束约束叶片侧面的外部并且入射到前级多点法拉第上的离子束的束电流的变化，以便得到在前级束约束叶片的位置处离子...

2007年11月28日

一种用于等离子体动态鞘层诊断的测量方法　[申请号/专利号：200710086479]
申请人/专利权人：中国航空工业第一集团公司北京航空制造工程研究所
本发明涉及离子注入、等离子体刻蚀及增强沉积等领域中等离子体特性诊断的一种用于等离子体动态鞘层诊断的测量方法。将直径为φ２～１０ｍｍ，长度大于等于鞘层扩展估算尺寸的探针垂...

2007年8月15日

一种灯丝引出杆绝缘结构　[申请号/专利号：200620113059]
申请人/专利权人：北京中科信电子装备有限公司
本实用新型涉及一种离子注入机的离子源，特别涉及一种长寿命离子源的灯丝引出杆绝缘结构，属于半导体器件制造领域；针对现有长寿命离子源技术中灯丝引出杆电位高、绝缘体容易受高温...

离子注入装置以及得到不均匀的离子注入能量的方法　[申请号/专利号：200610128503]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
一种离子注入装置，包括产生离子束的离子束源；布置在离子束路径上的注入能量控制器用于控制离子束的离子注入能量，从而为第一时间周期产生具有第一注入能量的离子束，为第二时间周...

2007年10月31日

韩国

金属气体混合离子注入机　[申请号/专利号：200610124137]
申请人/专利权人：珠海市恩博金属表面强化有限公司
本发明公开了一种金属气体混合离子注入机，旨在提供一种效果好的、使用范围大的金属气体混合离子注入机。该机包括金属离子源（１）、离子源供电系统、气体离子源（３１）、供气系统...

2007年8月15日

广东

离子注入装置　[申请号/专利号：200710005825]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
提供了一种离子注入装置，其防止了在下述部件的通孔的内表面上的离子核素的淀积颗粒的散落造成的加工对象的故障，其中所述部件形成离子束的射束几何形状。由于具有通孔和能够形成射...

2007年8月29日

用于清洁离子注入机的静电吸盘的装置　[申请号/专利号：200710005560]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种用于清洁离子注入机中的静电吸盘的装置。该装置包括：电源，用于产生热丝电压；静电吸盘，用于吸入晶片；热丝，安装在静电吸盘的内部，通过由电源提供的热丝电压驱...

2007年11月21日

韩国

离子注入装置的控制方法、控制系统、控制程序及离子注入装置　[申请号/专利号：200680005033]
申请人/专利权人：株式会社爱发科
...

2008年2月6日

离子束测量装置与方法　[申请号/专利号：200680004939]
申请人/专利权人：瓦里安半导体设备公司
...

2008年2月6日

离子束扫描控制方法和用于均匀注入离子的系统　[申请号/专利号：200680001793]
申请人/专利权人：艾克塞利斯技术公司
...

2008年2月13日

离子注入设备的灯丝　[申请号/专利号：200720067979]
申请人/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
本实用新型公开一种离子注入设备的灯丝，该灯丝包括释放电子的释放电子部分和接通电压的接脚部分。灯丝的释放电子部分设置成至少两层，其中每层为Ｗ型。与现有技术相比，本实用新型...

一种离子束导管　[申请号/专利号：200710136246]
申请人/专利权人：应用材料有限公司
本发明涉及一种用于离子注入机中的离子束，其位于注入机中与半导体晶片相邻近的位置。这种导管用来约束在注入过程中晶片中和所使用的带电粒子。根据本发明，一种导管包括一个轴，沿...

2008年3月12日

一种离子注入机的测漏桶　[申请号/专利号：200710047901]
申请人/专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
本发明提供了一种离子注入机的测漏桶，测漏桶与外部测漏机并行使用，用于对离子各模组进行测漏。它包括测漏桶桶身，测漏桶桶身上具有与外部测漏机连接的抽气孔，测漏桶桶身还开有一...

2008年4月9日

离子注入机　[申请号/专利号：200710180290]
申请人/专利权人：日新离子机器株式会社
一种构成离子注入机的分析电磁石，它具有第一内线圈、第二内线圈、三个第一外线圈、三个第二外线圈和轭。内线圈是马鞍形线圈，相互合作以产生在Ｘ方向上弯曲离子束的主磁场。每一个...

2008年4月16日

离子注入高温靶盘　[申请号/专利号：200610031370]
申请人/专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
一种离子注入高温靶盘，包括带冷却水槽的靶盘座，靶盘座外周的晶片夹卡机构经支条同靶盘座相连，二点卡子经其连接角块固定在支条外端部，该支条上开有一条凹槽且其中置有移动板，装...

2007年9月19日

湖南

一种长寿命离子源加热电子枪灯丝固定装置　[申请号/专利号：200620113060]
申请人/专利权人：北京中科信电子装备有限公司
本实用新型涉及一种长寿命离子源加热电子枪灯丝固定装置，属于半导体器件制造领域，针对现有长寿命离子源技术中加热电子枪灯丝长期工作时容易发生热变形和移位缺点，提出一种长寿命...

法拉第系统和包括该法拉第系统的离子注入设备　[申请号/专利号：200610084625]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
公开了一种法拉第系统，其中该法拉第系统包括用于聚集离子束以产生电流的法拉第筒，用于邻近于法拉第筒的入口形成电场，以防止响应于离子束从法拉第筒释放二次电子的抑制电极，以及...

2007年3月28日

韩国

用于离子注入机中的高压保护联锁　[申请号/专利号：200610066991]
申请人/专利权人：北京中科信电子装备有限公司
本发明的用于离子注入机中的高压保护联锁，包括用于使各机房门关闭－锁上或开锁－打开的多个门控开关、与相对应的多个门控开关串联的多套门控继电器、与相对应的多套门控继电器串联...

2007年10月10日

离子注入模拟方法　[申请号/专利号：200610026759]
申请人/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
本发明公开了一种离子注入模拟方法，包括：首先，得到不同离子注入剖面的实测注入离子分布曲线；然后，利用ＴＣＡＤ工具，设定模拟函数，拟合所述注入离子分布曲线，得到注入离子分...

2007年11月28日

操作离子源的方法和离子注入装置　[申请号/专利号：200610136051]
申请人/专利权人：日新意旺机械股份有限公司
当通过使用包含三氟化硼的气体作为离子源气体５０，用于将该气体供给到用于离子源２的等离子室２０中来从离子源２引出离子束４时，通过偏压电路６４，将等离子电极３１相对于用于离...

2007年4月25日

微波等离子体装置及制备金刚石薄膜和刻蚀碳膜的方法　[申请号/专利号：200610050018]
申请人/专利权人：杭州大华仪器制造有限公司
一种微波等离子体装置及制备金刚石薄膜和刻蚀碳膜的方法，该装置至少包括一产生微波源的磁控管，它通过一矩形波导管、三螺钉阻抗调配器接有微波谐振腔，在微波谐振腔内设置有石英管...

2006年11月8日

浙江

真空处理设备及其操作方法　[申请号/专利号：200610093843]
申请人/专利权人：日新意旺机械股份公司
真空处理设备具有固定的处理室（２４）和两个可移动的负荷锁定室（２８ａ）和（２８ｂ）。将闸阀（２６）提供到处理室（２４）上，并且将闸阀（３０）分别提供到负荷锁定室（２８ａ...

2006年12月27日

阵列式电子束蚀刻装置及蚀刻方法　[申请号/专利号：200610099247]
申请人/专利权人：东元电机股份有限公司
...

2008年1月23日

台湾

水冷等离子淋浴器　[申请号/专利号：200610065122]
申请人/专利权人：北京中科信电子装备有限公司
本发明提供一种等离子淋浴器，能够产生中和用电子，用于在离子注入工艺中，在被注入晶片上产生的静电积累进行中和，提高离子注入工艺的性能，消除静电积累对注入晶片的危害。...

2007年9月19日

一种用于离子注入机的高压自动放电装置　[申请号/专利号：200610065119]
申请人/专利权人：北京中科信电子装备有限公司
本发明是一种用于快速释放残余高压和静电的装置，用于离子注入机中高压仓或高压区机房架残余高压和静电释放，包括底板、压块、推块、固定座、放电杆、盘头螺钉、内六角圆柱头螺钉和...

2007年9月19日

调整射束的均匀性的离子束照射装置和方法　[申请号/专利号：200610168622]
申请人/专利权人：日新意旺机械股份有限公司
离子束照射装置具有：射束剖面监视器１４，其在目标８的附近测量离子束４在ｙ方向中的射束电流密度分布；可移动屏蔽板组１８ａ、１８ｂ，它们分别具有在ｙ方向中安置的以便在该目标...

2007年6月27日