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1
高临界温度超导薄膜制备方法 [申请号/专利号:90101675]
申请人/专利权人:中国科学院物理研究所
本发明为高临界温度(90K)超导薄膜制备方法。采用超高真空系统,单个化合物靶,高气压低电压直流磁控溅射,原位外延生长,原位低温热处理制备工艺,用于制备MBa-[2]Cu...
1990年9月12日
2
2008年12月10日
3
2008年11月26日
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2008年12月10日
5
2008年12月10日
6
一种导电型阻隔层LaNiO*的制备方法 [申请号/专利号:200710018599]
申请人/专利权人:西北有色金属研究院
本发明公开了一种导电型阻隔层LaNiO↓[3]的制备方法,该方法是将结晶水含量确定的硝酸镧和醋酸镍固体按照摩尔比为1∶1的比例称取混合,加冰醋酸溶解,配置成物质的总摩尔...
2008年5月14日
7
一种钙钛矿型阻隔层NdGaO*的制备方法 [申请号/专利号:200710018597]
申请人/专利权人:西北有色金属研究院
本发明公开了一种钙钛矿型阻隔层NdGaO↓[3]的制备方法,该方法是将摩尔比为1∶1的乙酰丙酮钕、硝酸钕或醋酸钕和硝酸镓固体加冰醋酸、乙酰丙酮和甲醇溶解配置成前驱液,再...
2008年5月14日
8
超导膜及其制造方法 [申请号/专利号:200480024812]
申请人/专利权人:独立行政法人科学技术振兴机构、财团法人电力中央研究所
本发明涉及一种超导膜及其制造方法,该超导膜包括基底以及在基底上形成的超导层,其中,在该基底表面形成了平行于电流方向的纳米凹槽,并在位于该纳米凹槽上的超导层中引入了二维晶...
2006年10月4日
9
超导线及其制造方法 [申请号/专利号:200480022579]
申请人/专利权人:住友电气工业株式会社
一种超导线(10),其中,超导层(3)形成在金属衬底上,该金属衬底为取向金属衬底(1)。在从表面延伸到300nm深度的表面层内,晶轴相对于取向轴的偏离角为25°或更小,...
2006年9月13日
10
氧化物超导线材用金属基材、氧化物超导线材及其制造方法 [申请号/专利号:200480010875]
申请人/专利权人:财团法人国际超电导产业技术研究中心、住友电气工业株式会社
一种氧化物超导线材用金属基材,它包括:具有辊压聚集结构的多晶金属基材,其中{100}平面平行于辊压表面和〈001〉轴平行于辊压方向,和层叠在该多晶金属基材表面上的多晶金...
2006年5月24日
11
超导体及其制造方法 [申请号/专利号:200480002361]
申请人/专利权人:住友电气工业株式会社
一种超导体的制造方法,其中通过重复两次或两次以上膜淀积在基底层上形成超导层。每次淀积形成的超导膜的膜厚被设定在0.3μm或以下,使得即使超导层厚度大时Jc的减少较小,由...
2006年2月22日
12
制造带状超导线的方法,带状超导线,以及超导装置 [申请号/专利号:200680001337]
申请人/专利权人:住友电气工业株式会社
提供一种具有与长导线类似的效果的带状超导线,一种用于制造这样的带状超导线的方法,以及一种利用这样的超导线的超导装置。该方法包括:制备带基板的步骤;在带基板上形成中间薄层...
2007年11月7日
13
2008年1月23日
14
一种具有导电缓冲层的钇钡铜氧涂层导体及制备方法 [申请号/专利号:200510087072]
申请人/专利权人:中国科学院物理研究所
本发明涉及具有导电缓冲层的钇钡铜氧涂层导体,包括:在金属基带上生长的掺杂钛酸锶导电缓冲层,在缓冲层上生长的YBCO超导层;所述的掺杂钛酸锶包括掺铌钛酸锶SrTi↓[1-...
2007年1月31日
15
由二硼化镁制造的超导复合线 [申请号/专利号:200480043721]
申请人/专利权人:哥伦布超导体有限责任公司
一种具有二硼化镁超导相的超导复合线,包括:导电金属芯(1);多根设置在所述导电金属芯(1)周围的丝,其中每根丝(3)包括二硼化镁芯(5);围绕所述多根丝的外部金属护套(...
2007年8月15日
16
金属氧化物超导薄膜的化学气相快速沉积工艺 [申请号/专利号:92108395]
申请人/专利权人:中国科学院上海冶金研究所
一种用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)快速沉积金属氧化物超导薄膜的工艺,其特征在于维持反应室压力为66.5~133帕的低压,衬底温度700~850℃,有机源升华温...
1993年11月10日
17
超导电缆 [申请号/专利号:200410034353]
申请人/专利权人:住友电气工业株式会社
本发明公开一种超导电缆,其具有以多层的方式缠绕在芯部材料(线圈架)上的多根超导线材。该超导线材使用了具有螺旋超导纤维的绞合纤维型超导线材和具有直线型超导纤维的非绞合纤维...
2004年11月3日
18
表面平坦的高温超导电体膜 [申请号/专利号:02803311]
申请人/专利权人:财团法人国际超电导产业技术研究中心
本发明提供一种表面平坦的高温超导电体膜,当用“A”表示Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y中的一种或2种以上,并用“B”表示La、Nd、Sm及Eu中的一种或2种...
2004年3月10日
19
提高涂层导体用CeO*薄膜厚度的方法 [申请号/专利号:200710047473]
申请人/专利权人:上海大学
本发明公开了一种通过对CeO↓[2]薄膜实施稀土离子掺杂以提高薄膜厚度且成本低廉的技术工艺。相应量的钇、钬、钐和锆等稀土离子的醋酸盐或乙酰丙酮盐经过溶解并加热搅拌掺入到...
2008年5月14日
20
高温超导薄膜的制造方法 [申请号/专利号:98124540]
申请人/专利权人:潘树明
一种液氮温区高温超导薄膜的制备方法,-分区分靶溅射法。其特征是根据需要制作多个磁控靶,可以分别控制每个磁控靶的溅射速度,可以根据需要改变膜内元素组分。几种物质依次溅射,...
2000年5月24日
21
薄膜材料及其制造方法 [申请号/专利号:200580023975]
申请人/专利权人:住友电气工业株式会社、财团法人国际超电导产业技术研究中心
本发明披露了薄膜材料和制造该薄膜材料的方法,用该方法能够提高形成于基板上的膜的性质。超导线材1包括基板2、形成于基板上并包括一层或至少两层的中间薄膜层(中间层3)、和形...
2007年7月11日
22
包括磁去耦超导导体的用于传输电流的系统 [申请号/专利号:200580012582]
申请人/专利权人:美国超能公司
描述了一种用于传输电流的系统。该系统包括:至少一个发电机、至少一个恒冷器,以及至少一个负载。该系统还可包括:终接、致冷系统,以及终接加致冷系统三者之一。该恒冷器具有至少...
2007年4月11日
23
临界温度典型值为95K的钕钡铜氧高温超导外延薄膜的制备方法 [申请号/专利号:97107701]
申请人/专利权人:电子科技大学
本发明属钕钡铜氧、(Nd↓[1]Ba↓[2]Cu↓[3]O↓[7-δ])高温超导材料体系。本发明采用倒筒式直流溅射方法比已有技术的分子束外延法和激光沉积法能更容易控制薄...
1999年4月14日
24
高温超导层的制备方法 [申请号/专利号:200310101500]
申请人/专利权人:特瓦薄膜技术有限公司
本发明涉及一种在基材(1a,1b)上制备高温超导层的方法,该方法包括以下步骤:以低生长速率沉积RBa↓[2]Cu↓[3]O↓[7]-层(2),其中R表示钇,一种稀上族(...
2004年5月19日
25
高温超导薄膜双面蒸镀装置 [申请号/专利号:200420028374]
申请人/专利权人:海泰超导通讯科技(天津)有限公司
一种高温超导薄膜双面蒸镀装置,包括蒸镀区、反应区、真空泵、加热装置、驱动装置、基片承载盘六部分,其特征在于其基片承载盘是由驱动齿轮、底盘、基片夹持机构所组成,驱动齿轮有...
26
采用脉冲激光沉积工艺制备大面积超导薄膜的方法和装置 [申请号/专利号:200410098799]
申请人/专利权人:中国科学院物理研究所
本发明公开了一种采用脉冲激光沉积工艺制备大面积超导薄膜的方法和装置,首先用真空机组将真空室内抽真空,然后向真空室内充入高纯度氧气再启动旋转加热器使基片升温并保持该温度直...
2005年6月1日
27
氧化物超导体厚膜用组合物和厚膜带状形式的氧化物超导体 [申请号/专利号:200380102394]
申请人/专利权人:财团法人国际超电导产业技术研究中心、旭电化工业株式会社、昭和电线电缆株式会社
本发明提供一种氧化物超导厚膜用组合物,它含有具有6或更多个碳原子的支化饱和脂族羧酸的铜盐和/或具有6或更多个碳原子的脂环族羧酸的铜盐,它适于通过MOD方法生产铜基氧化物...
2005年12月14日
28
去除或减少氧化物薄膜中表面颗粒的方法和专用抛光棒 [申请号/专利号:02129536]
申请人/专利权人:中国科学院物理研究所
本发明涉及一种去除或减少氧化物薄膜中表面颗粒的方法和专用抛光棒。该方法包括:分别将薄膜样品与抛光棒用丙酮、酒精进行超声清洗,然后将抛光棒垂直压在薄膜表面上,确保抛光面紧...
2004年3月17日
29
高温超导线材的制备方法 [申请号/专利号:01123875]
申请人/专利权人:北京英纳超导技术有限公司
一种制备超细高温超导线材的方法,其特征在于包含如下的步骤:在很细的超导前驱粉制成涂料,然后覆盖在基底线(或带)上;经过烧结得到一根超导线材,也可以再进行轧制,得到一根具...
2003年3月5日
30
制造氧化物超导薄膜的方法 [申请号/专利号:03809275]
申请人/专利权人:住友电气工业株式会社
本发明提供了一种制造氧化物超导膜的方法,通过使用激光沉积法而在基质上形成,该方法包括用激光束辐照靶,并因而使从靶中散发的物质沉积在包括单晶基质的基质上,其中将用于靶辐照...
2005年8月3日
31
超导材料及其制造方法 [申请号/专利号:92103605]
申请人/专利权人:住友电气工业株式会社
本发明超导材料的特征在于它主要包含具有下式:Tl↓[x]Ca↓[Y]BaCu↓[Z]O↓[a](这里,X、Y、Z是分别满足0.5<X<3.0,0.5<Y<3.0,0.9...
1992年12月23日
32
激光沉积大面积超导膜的方法及其装置 [申请号/专利号:92100640]
申请人/专利权人:华中理工大学
本发明激光沉积膜导膜的方法,是靶台和激光头固定激光束经由垂直于光束的平面上作圆周运动的透镜实现在靶面扫描剥离。本方法的装置由激光头、靶台、基片座、电机、转盘、轴承、吊杆...
1993年8月4日
33
制备稀土-钡-铜酸盐超导体的方法 [申请号/专利号:98115117]
申请人/专利权人:赫多特普索化工设备公司
一种以在金属带、金属丝上的厚膜或以管中粉末形式制备稀土-钡-铜酸盐超导体的方法,包括步骤:将具有高熔点的稀土-钡-铜酸盐籽晶和具有较低熔点的稀土-钡-铜酸盐粉末的混合物...
1998年12月23日
34
用于高温超导的复合Ni合金基带的制备方法 [申请号/专利号:200610066447]
申请人/专利权人:北京工业大学
本发明属高温超导涂层韧性基带及超导薄膜制备领域。目前Ni合金基带制备过程复杂;结合部易分开;且只能采用两种延伸率基本相等的合金进行复合。本发明先设计复合带的结构:表面层...
2006年11月15日
35
复合氧化物超导线材及其制造方法 [申请号/专利号:92102035]
申请人/专利权人:住友电器工业株式会社
一种用物理蒸镀法在MgO、SrTiO-[3]或ZrO-[2]单晶基片上形成以Ln-[1]Ba-[2]Cn-[3]O-[7]-x(Ln是镧系元素)、(La-[1]-Xa-...
1992年12月30日
36
制造超导制品的方法 [申请号/专利号:90104055]
申请人/专利权人:日本钢管株式会社
制造超导制品的方法,包括的步骤:在基片表面形成含LnBa-[2]Cu-[3]O-[X]和Ln-[2]BaCuO-[X]混合物的第一层:局部依次加热熔化第一层,形成熔穴并...
1990年12月12日
37
隧道型约瑟夫森器件及其制造方法 [申请号/专利号:90102462]
申请人/专利权人:住友电气工业株式会社
一种隧道型约瑟夫森器件包括由复合氧化物超导材料形成的一对超导体层和在这对超导体层之间形成的绝缘层。该绝缘层是由超导体层的复合氧化物超导材料中组成元素相同的复合氧化物形成...
1990年11月28日
38
改善高温超导薄膜晶片性能的方法 [申请号/专利号:97109935]
申请人/专利权人:纳幕尔杜邦公司
一种用于降低高温超导薄膜的微波表面阻抗的方法,该方法包括(a)在高温超导薄膜(如Tl↓[2]Ba↓[2]CaCu↓[2]O↓[8])的表面涂覆(优选旋涂)一保护涂层(优...
1998年1月28日
39
超导体制造方法 [申请号/专利号:90101312]
申请人/专利权人:学校法人东海大学、日本钢管株式会社
一种超导体制造方法,包括以下工序:在衬底表面上生成包含LnBa-[2]Cu-[3]OX和Ln-[2]BaCuOX混合物的第一层膜,其中Ln是任一稀土元素;接着在第一层膜...
1990年10月3日
40
一种超导薄膜的制造方法 [申请号/专利号:97114625]
申请人/专利权人:内克赞斯公司
本发明涉及一种在纵向拉伸的衬底(12)上制作超导薄膜(19)的方法,该法使衬底(12)穿过淀积室(1),并在淀积室的热区(2)内加热衬底和被覆超导材料。为提高电流载量,...
1998年3月11日
41
高温超导薄膜双面蒸镀技术及其装置 [申请号/专利号:200410018669]
申请人/专利权人:海泰超导通讯科技(天津)有限公司
一种高温超导薄膜双面蒸镀技术及其装置,包括蒸镀区、反应区、真空泵、加热装置、驱动装置、基片承载盘六部分,其特征在于其基片承载盘是由驱动齿轮、底盘、基片夹持机构所组成。蒸...
2005年8月24日
42
多晶薄膜的制造方法以及氧化物超导体的制造方法 [申请号/专利号:03149857]
申请人/专利权人:株式会社藤仓
一种多晶薄膜、将多晶薄膜沉积在多晶基体上的制造方法。多晶基体的温度设置在150℃-250℃范围内,离子束的离子束能量设置在175eV-225eV范围内,对于多晶基体的膜...
2004年3月3日
43
极细多芯低温超导线带用的铜合金 [申请号/专利号:93105118]
申请人/专利权人:北京有色金属研究总院
本发明属于极细多芯低温超导线带用的铜合金,它由铜和稀土元素组成,稀土元素的添加量为0.05-0.7(重量%)。所说的稀土元素是Gd、Er、Nd、Dy中的一种。本发明的铜...
1994年1月12日
44
补偿超导体镀膜中铜损失的复合基带的制法及其构成 [申请号/专利号:00129757]
申请人/专利权人:郭汉生
补偿超导体镀膜中Cu损失的织构复合基带的制法及其构成属于高温超导体涂层基带制造技术领域,其特征在于:以立方织构Ni作基底用热蒸发方法顺序沉积Cu和Ag,使Cu膜和Ag膜...
2002年5月1日
45
用于高温超导体涂层的Ni/NiO织构复合基带及其制法 [申请号/专利号:00129756]
申请人/专利权人:郭汉生
用于高温超导体涂层的Ni/NiO织构复合基带及其制法属于高温超导体涂层基带制造技术领域,其特征在于:它是一种强而纯的织构复合基带,由立方织构Ni基底及由它氧化得到的立方...
2002年5月1日
46
一种以纳米结构建立室温超导体的方法 [申请号/专利号:98109047]
申请人/专利权人:李扬远
一种以纳米结构建立室温超导体的方法,提出了一种与众不同的以纳米结构解除热碰撞实现室温零电阻的技术方案。技术特征主要包括有直径为一个原子的金属纳米细线和用于隔离与成形的高...
1998年12月16日
47
铊系高温超导薄膜材料及其制备方法 [申请号/专利号:03144207]
申请人/专利权人:南开大学
本发明涉及Tl↓[2]Ba↓[2]CaCu↓[2]O↓[8](Tl-2212)超导材料薄膜及其制备方法。Tl-2212超导薄膜超导转变温度高于100K;77K温度下临界...
2004年7月28日
48
一种在非织构基底上制备取向高温超导膜层的方法 [申请号/专利号:99107799]
申请人/专利权人:中国科学院物理研究所
本发明属于高温超导大电流传输技术范畴。本发明采用在电场中淀积的方法,在织构或非织构金属基底上制备钇钡铜氧高温超导膜层,使高温超导膜层的取向获得明显改善,超导膜层质量明显...
2000年12月6日
49
一种提高激光法制备高温超导带材临界电流密度的方法 [申请号/专利号:99107798]
申请人/专利权人:中国科学院物理研究所
本发明涉及高温超导大电流传输技术领域。通过提供一种带有银掺杂靶,并可以方便地改变银掺杂量的脉冲激光淀积高温超导柔性带材的方法,来使高温超导膜层的取向明显改善,质量明显提...
2000年12月6日
50
采用近距离辐射加热制备双面超导薄膜的方法 [申请号/专利号:96104971]
申请人/专利权人:中国科学院物理研究所
本发明涉及薄膜制备技术领域,特别涉及双面超导薄膜材料制备技术。本发明的目的是为了提高热利用效率,降低加热器的功率要求,避免淀积双面膜时损坏薄膜,提供一种在真空淀积设备中...
1997年11月19日
 

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