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251
等离子体溅射成膜方法和成膜装置 [申请号/专利号:200580035907]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
本发明提供一种利用等离子体使金属靶(56)离子化,产生金属离子,利用偏置电力将金属离子引入到在处理容器内的载置台(20)上载置的被处理体(S),使金属膜(74)沉积在形...
2007年9月26日
252
等离子体溅射成膜方法及成膜装置 [申请号/专利号:200580035895]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
本发明涉及利用等离子体溅射在半导体晶片(S)的上面和在上面开口的凹部的表面形成金属薄膜的技术。本发明的成膜方法的特征在于:利用放电气体的等离子体在处理容器(14)内溅射...
2007年9月26日
253
一种用于承载可转动的溅射靶材的扁平端块 [申请号/专利号:200580035605]
申请人/专利权人:贝卡尔特先进涂层公司
本发明披露了一种用于管状磁控溅射设备的端块。这种端块将运动,冷却剂(5)以及电流可转动地传递至靶材上,同时,保持真空的完整性以及封闭的冷却剂回路。该端块包括驱动装置,旋...
2007年9月26日
254
成膜装置 [申请号/专利号:200580032075]
申请人/专利权人:株式会社爱发科
本发明提供一种成膜装置,该成膜装置可抑制基板上升到规定温度以上、可高效率地连续地在基板的两面上进行溅射成膜。在经过压力调整的成膜室(2)内,通过驱动电动机(8)的驱动,...
2007年8月29日
255
耐磨涂层和用于制造这种耐磨涂层的方法 [申请号/专利号:200580028804]
申请人/专利权人:谢夫勒两合公司
本发明涉及一种用于制造耐磨涂层的方法和一种特别是内燃机承受摩擦磨损的机器零件预先确定表面上的耐磨涂层,由至少一个涂覆在机器零件(1)预先确定表面(2)上的sp↑[2]和...
2007年8月1日
256
成膜方法、成膜装置及存储介质 [申请号/专利号:200580027616]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
本发明提供一种成膜方法,即使在具有纵横比大的凹部的被处理体的表面使用凝集性高的金属的情况下,也能够形成连续的薄膜。该方法包括以下工序,将基板搬入反应容器内并进行载置的工...
2007年7月25日
257
薄膜形成装置 [申请号/专利号:200580026467]
申请人/专利权人:株式会社新柯隆
本发明提供一种薄膜形成装置,该薄膜形成装置能够使等离子中一定程度的比例的离子与薄膜接触来进行成膜。薄膜形成装置(1)具有:等离子发生单元(80),其设在真空槽(11)的...
2007年7月4日
258
溅射源、溅镀装置、薄膜的制造方法 [申请号/专利号:200580025678]
申请人/专利权人:株式会社爱发科
不对有机薄膜造成损伤地在其表面上形成溅镀膜。以遮蔽板103来遮蔽溅射源11~13的框体101的开口,在该开口部107a的两侧配置捕获磁铁105↓[1]、105↓[2]。...
2007年7月4日
259
制造磁记录介质的方法 [申请号/专利号:200580025592]
申请人/专利权人:昭和电工株式会社
本发明的特征是非磁性基底、在非磁性基底的每个表面上的靶构件和在每个靶构件背向基底一侧的表面上的磁板平行放置在成膜设备中,向靶构件施加一高频电压,在磁板的表面上以相等的间...
2007年7月18日
260
引导等离子体流的内部通道涂覆装置 [申请号/专利号:200580024311]
申请人/专利权人:分之一技术公司
一用来涂覆一工件(40、120和142)的表面的装置(10),它构造成在通过工件的内部通道(44、46和48)内建立一压力梯度,以使内部通道内的涂层显现出所要求的特征,...
2007年7月4日
261
通过热等静压获得的圆筒形靶 [申请号/专利号:200580024029]
申请人/专利权人:贝卡尔特先进涂层公司
描述了生产可旋转靶的方法和制得的靶。在圆筒形模具间形成的空腔中注入靶形成材料,其中内管通过顶部和底部封闭体共轴固定。在高的温度和压力下对该组件进行热等静压。该方法不同于...
2007年6月20日
262
铜合金制造的导线材料 [申请号/专利号:200580023686]
申请人/专利权人:普兰西欧洲股份公司
本发明公开了一种由铜合金制造的导线材料,其中铜含量大于90原子%,该材料含有0.5-10原子%的选自钙、锶、钡、钪、钇、镧系元素、铬、钛、锆、铪、硅的一种或多种元素,和...
2007年6月20日
263
溅射靶用靶材的制造方法 [申请号/专利号:200580023674]
申请人/专利权人:三井金属矿业株式会社
本发明公开一种靶材的制造方法,是利用粉末冶金法制造溅射靶的靶材的方法,其包括:对于每一个成型后的被烧结体,从该被烧结体的一端开始进行烧结的加热工序;该加热工序优选为,对...
2007年6月20日
264
溅射靶及通过旋转轴向锻造形成该溅射靶的方法 [申请号/专利号:200580022954]
申请人/专利权人:卡伯特公司
公开了一种使用旋转轴向锻造制造溅射靶的方法。其它热机械工序可以在锻造步骤之前和/或之后使用。进一步描述了一种可以具有独特粒径和/或晶体结构的溅射靶。...
2007年6月13日
265
真空成膜装置 [申请号/专利号:200580020739]
申请人/专利权人:新明和工业株式会社
本发明提供将圆筒构件的一部分作为靶使用,而且有意利用该圆筒构件附加等离子体聚合功能的的真空成膜装置。真空成膜装置(100)具备具有内部空间的导电性真空槽(13)、在内部...
2007年5月30日
266
单件线圈支撑组件,线圈结构和装配线圈结构的方法 [申请号/专利号:200580018764]
申请人/专利权人:霍尼韦尔国际公司
本发明包括线圈支撑组件(130),具有与布置在处理室之内的护罩(22)的表面相接合的绝缘体(132)。该绝缘体(132)具有延伸穿过护罩(22)的伸出部。第二绝缘体(1...
2007年7月18日
267
透明导电膜、透明导电膜制造用烧结体靶、透明导电性基材以及使用其的显示装置 [申请号/专利号:200580018592]
申请人/专利权人:住友金属矿山株式会社
本发明提供一种非晶质、且在可见光短波长区的光透射率高、对弯曲不易破裂的透明导电膜。本发明的透明导电膜为由Ga、In和O构成的非晶质氧化物膜,相对全部金属原子含有35原子...
2007年5月16日
268
溅射靶和光信息记录介质及其制造方法 [申请号/专利号:200580018377]
申请人/专利权人:日矿金属株式会社
一种溅射靶,其特征在于,含有以Y↓[2]O↓[3]、Al↓[2]O↓[3]以及SiO↓[2]为主要成分的材料。一种光信息记录介质及其制造方法,其特征在于,使用该溅射靶,...
2007年5月16日
269
单晶氧化镁烧结体及其制造方法以及等离子体显示板用保护膜 [申请号/专利号:200580018097]
申请人/专利权人:达泰豪化学工业株式会社
本发明提供一种单晶氧化镁烧结体,其特征在于,其为氧化镁中的杂质总计在3质量%以下的单晶氧化镁烧结体,烧结体具有50%以上且不足90%的相对密度,并且含有粒径在200μm...
2007年5月16日
270
对向靶材式溅镀装置 [申请号/专利号:200580016686]
申请人/专利权人:F·T·S·股份有限公司
本发明提供一种对向靶材式溅镀装置,不需使用大型靶材可在实质上实现大型靶材的功能,为可成膜于大面积的基板上,将长方体状框体71的6个侧面71a~71f中的1个71f作为开...
2007年5月2日
271
成膜装置以及成膜方法 [申请号/专利号:200580016473]
申请人/专利权人:株式会社爱发科
本发明的目的是在层叠薄膜的光学薄膜中形成具有接近设计值的光学特性的光学薄膜。为此,在真空室(2)内,配备保持基板(4)的旋转鼓(3)、用于在基板(4)的被成膜面上形成金...
2007年5月2日
272
真空处理装置及光盘的制造方法 [申请号/专利号:200580015292]
申请人/专利权人:芝浦机械电子装置股份有限公司
本发明提供一种可抑制因真空中的连续溅射产生的热量而造成的基板升温、可减少在被处理物上产生的倾斜和变形的真空处理装置。一种真空处理装置,其特征在于,包括:可排气成真空状态...
2007年4月25日
273
将溅射源和偏压功率频率施加到工件上的金属等离子体汽相沉积和再溅射的设备 [申请号/专利号:200580013581]
申请人/专利权人:应用材料股份有限公司
一种等离子体反应器包括真空室,该真空室包括侧壁、室顶及一靠近该室的室底板的晶圆支撑托架,及连接到该室的真空泵。一连接到该室的处理气体入口被以及连接到该处理气体入口的处理...
2007年4月18日
274
包括阻隔涂层的涂层堆叠体 [申请号/专利号:200580010456]
申请人/专利权人:PPG工业俄亥俄公司
公开了含有至少一层可降解涂层和至少一层阻隔涂层的涂层组合体。该涂层组合体能用来制造涂覆基材,该涂覆基材在暴露于热和某些化学制品如卤化物例如氯化物、硫、盐、氯、碱、和瓷漆...
2007年3月28日
275
离子化物理气相沉积(IPVD)工艺 [申请号/专利号:200580009861]
申请人/专利权人:东京毅力科创株式会社
设置iPVD系统(200),用于将例如阻挡材料(912)的均一材料沉积在半导体衬底(21)上的高深宽比的纳米尺寸构件(11)中,所采用的工艺在真空室(30)内相对于表面...
2007年3月28日
276
Co-Cr-Pt-B类合金溅射靶 [申请号/专利号:200580009803]
申请人/专利权人:日矿金属株式会社
一种Co-Cr-Pt-B类合金溅射靶,其特征是具备以铸造时的初晶为基体的Co浓相构成的岛状的轧制组织。岛状的轧制组织的平均尺寸在200μm以下的该Co-Cr-Pt-B类...
2007年10月24日
277
2008年2月13日
278
硅膜形成装置 [申请号/专利号:200580009409]
申请人/专利权人:日新电机株式会社
本发明揭示一种硅膜形成装置,包含:成膜室(10);设置在该室内的硅溅射靶(2);往该室内供给氢气的氢气供给回路(102或102’);以及对供给到成膜室(10)内的氢气施...
2007年3月21日
279
真空沉积硫化物薄膜期间吸收氧气和水的方法 [申请号/专利号:200580008280]
申请人/专利权人:伊菲雷技术公司
本发明是一种在沉积多元素无机发光体薄膜组合物期间从蒸发气氛中吸收不需要的原子物种的方法。该方法包括在沉积室内无机发光体薄膜组合物沉积之前立即和/或在沉积期间同时蒸发一种...
2007年3月28日
280
成膜装置 [申请号/专利号:200580007849]
申请人/专利权人:新明和工业株式会社、株式会社大岛电机制作所
本发明提供一种能够对依然装载于成型加工用的模具上的基体材料进行成膜加工的成膜装置。该装置具有一端利用底部封闭,另一端开放的筒状的框体(1h)、设置于所述底部内表面的靶(...
2007年3月14日
281
氧化铟-氧化铈类溅射靶及透明导电膜以及透明导电膜的制造方法 [申请号/专利号:200580007545]
申请人/专利权人:出光兴产株式会社
本发明提供一种不会因利用弱酸(有机酸等)的蚀刻而产生残渣等的构成透明电极的透明导电膜。另外还提供用于制作该透明导电膜的溅射靶。本发明的溅射靶是由氧化铟和氧化铈构成的溅射...
2007年3月14日
282
表面缺陷少的溅射靶及其表面加工方法 [申请号/专利号:200580006773]
申请人/专利权人:日矿金属株式会社
本发明涉及溅射靶的表面加工方法,其特征为,对在富含延展性的基质相中,金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质存在的体积比为1~50%的靶表面,先通过...
2007年3月7日
283
高纯度Ru粉末、烧结该高纯度Ru粉末得到的溅射靶以及用该靶溅射得到的薄膜和高纯度Ru粉 [申请号/专利号:200580006772]
申请人/专利权人:日矿金属株式会社
一种高纯度Ru粉末,其特征在于,Na、K等各碱金属的含量均在10wtppm以下,Al的含量为1~50wtppm,以及该高纯度Ru粉末的制造方法,其特征在于,用纯度在3N...
2007年3月7日
284
Ni-Pt合金和Ni-Pt合金靶 [申请号/专利号:200580006513]
申请人/专利权人:日矿金属株式会社
本发明提供Ni-Pt合金的Pt含量为0.1~20重量%,维氏硬度是40~90的加工性优良的Ni-Pt合金和Ni-Pt合金靶,并提供加工性优良的Ni-Pt合金的制造方法,...
2007年3月7日
285
活性金属源和沉积硫代铝酸盐磷光体的方法 [申请号/专利号:200580006510]
申请人/专利权人:伊菲雷技术公司
一种用于沉积硫代铝酸盐无机发光材料组合物的物理气相沉积方法,包括:提供一种或多种包含金属间钡铝化合物、钡铝合金或受保护钡金属的源材料;提供活化剂物质;和将一种或多种源材...
2007年3月7日
286
溅射靶和光信息记录介质及其制造方法 [申请号/专利号:200580006207]
申请人/专利权人:日矿金属株式会社
一种溅射靶,其特征在于,由HfO↓[2]以及Y↓[2]O↓[3]的复合氧化物组成。Y↓[2]O↓[3]的含量为10~95mol%,余量为HfO↓[2]的该溅射靶。以及,...
2007年3月7日
287
减小溅射靶中热应力的方法 [申请号/专利号:200580004948]
申请人/专利权人:贝卡尔特先进涂层公司
本发明涉及在溅射过程中减少溅射靶中热应力的方法。方法提供如下步骤,提供靶座,当在所述靶座上应用所述靶材料时,通过喷涂和引入气孔于所述靶材料中来在所述靶座上应用包含铟-锡...
2007年2月21日
288
物理气相沉积靶构造 [申请号/专利号:200580002299]
申请人/专利权人:霍尼韦尔国际公司
本发明包括一种具有溅射区域和凸缘区域的靶构造。所述凸缘区域具有在前表面的至少一部分上存在的保护层。本发明包括一种具有凸缘区域的溅射靶构造,其中所述凸缘区域的前表面具有平...
2007年2月7日
289
一次写入多次读取的光学记录介质及其溅射靶 [申请号/专利号:200580001454]
申请人/专利权人:株式会社理光
一种一次写入多次读取光学记录介质,其能够在蓝色激光波长或更短的波长在,即500nm或更小波长下,特别在邻近405nm的波长下表现出优异的记录-再现性能和高密度记录。为此...
2007年1月31日
290
溅镀靶材 [申请号/专利号:200580001261]
申请人/专利权人:三井金属鉱业株式会社、日本轻金属株式会社
本发明提供可尽量不产生溅镀时的电弧放电现象和喷溅现象的溅镀靶材。对溅镀靶材的用于溅镀的部分进行了摩擦搅拌处理,即使是含碳的铝类合金的溅镀靶材或大型的溅镀靶材,也可以可靠...
2006年12月13日
291
配线结构的形成方法以及半导体装置 [申请号/专利号:200580001136]
申请人/专利权人:富士通株式会社
使用蚀刻阻止膜(104)以及硬掩模(105)在绝缘膜(103)上形成用于连接下层配线(101)和未图示的上层配线的导通孔(102)之后,通过本发明的一级的低功率偏压溅射...
2006年11月8日
292
溅射靶及其制造方法 [申请号/专利号:200580001008]
申请人/专利权人:三井金属矿业株式会社
本发明是通过溅射制造薄膜时所使用的溅射靶及其制造方法,由靶板、底板、将它们贴合在一起的粘合材料层构成,粘合材料层中不存在有衬垫,粘合材料层的厚度在0.25~2mm的范围...
2006年10月4日
293
成膜装置及其成膜方法 [申请号/专利号:200580000957]
申请人/专利权人:株式会社爱发科
提供能够以更快的成膜速度形成具有良好特性的金属化合物膜,并且能够简单地、低成本地构成的溅射成膜装置。在真空室1内设置将基板3保持在外周而旋转的圆筒状的转鼓4、在转鼓4处...
2006年10月4日
294
高耐热性铝合金配线材料和靶材 [申请号/专利号:200580000338]
申请人/专利权人:三井金属鉱业株式会社
本发明的目的在于提供适用于进行500℃以上的高温热处理的低温加工的多晶硅薄膜晶体管的、高耐热和低电阻率特性良好的铝合金配线材料及靶材。所述铝合金配线材料及靶材是含有镍、...
2006年6月14日
295
防止溅镀过程中被溅镀物品变形的防护装置 [申请号/专利号:200520139833]
申请人/专利权人:汉达精密电子(昆山)有限公司
一种防止溅镀过程中被溅镀物品变形的防护装置,该防护装置为一块或者相应多块金属板,该金属板的整体形状为可遮覆被溅镀物品对应易变形区域,该金属板上阵列式分布有大小相等的穿透...
296
一种多元素溅射靶材结构 [申请号/专利号:200520114360]
申请人/专利权人:北京有色金属研究总院、北京大学
本实用新型公开了一种多元素溅射靶材结构,是在金属锆的板材上,均匀地拼接多条条形的金属钇,其中,金属锆的板材可以为圆形,条形金属钇可以为扇条形,且多条扇条形的金属钇的大端...
297
一种具有在线清洗功能的阳极装置及设有该装置的镀膜机 [申请号/专利号:200520110187]
申请人/专利权人:北京实力源科技开发有限责任公司、刘阳
本实用新型提出一种具有在线清洗功能的阳极装置及设有该装置的镀膜机。在线清洗阳极可绕其中心轴线旋转,在局部空间中设置阳极清洗装置;由于阳极连续旋转而清洗装置的相对方位不变...
298
溅射离子泵的电源 [申请号/专利号:200520078831]
申请人/专利权人:中国科学院近代物理研究所
本实用新型为一种用于向抽取高真空的溅射离子泵供电的电源。本实用新型是将现有电源的输出端改为并联设置的至少两组与溅射离子泵相连接的接线端。本实用新型可以同时向至少两台溅射...
299
用于管道内壁面的溅射镀膜装置 [申请号/专利号:200520073493]
申请人/专利权人:中国科学技术大学
本实用新型涉及真空溅射镀膜技术,具体涉及一种用于管道内壁进行镀膜的装置。它包括现有溅射镀膜中使用的与涡轮分子泵排气机组及反应气体流量控制系统连通的进气辅助真空室、与真空...
300
真空溅镀中的遮镀辅助设备的结构 [申请号/专利号:200520065207]
申请人/专利权人:佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司
本实用新型揭示了一种真空溅镀中的遮镀辅助设备的结构,其包括一遮盖部,其设置于基材的溅镀表面的一侧,且部分遮盖该基材的溅镀表面;且上述遮盖部与上述基材的溅镀表面的垂直距离...
 

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