溅射-第10页-钱眼专利分类

452

用于评估溅射靶/背衬板组件的结合界面的热成像测试方法和装置　[申请号/专利号：200480023364]
申请人/专利权人：卡伯特公司
公开一种用于热成像评估溅射靶组件的结合完整性的方法和装置。该方法包括对组件的一个表面施加加热或冷却介质或能量，并且使用成像装置获得在组件的相反表面上的相应温度变化的图形...

2006年9月20日

453

溅镀靶安装到垫板上的方法和设计　[申请号/专利号：200480022899]
申请人/专利权人：卡伯特公司
本发明描述了通过设置在一个组装元件上的突起的热膨胀提供与另一组装元件的热接触装配溅镀阴极组件的各部件的方法，及所形成的溅镀阴极。该方法形成了各部件的临时机械连接，该临时...

2006年9月20日

454

通过多向变形形成溅射制品的方法　[申请号/专利号：200480022803]
申请人/专利权人：卡伯特公司
描述了一种生产电子管金属轧制形式的方法，该电子管金属轧制形式具有足够的尺寸以被分割形成多个溅射靶。该方法包括使锭多向变形以形成轧制形式，该轧制形式具有优选的约１００微米...

2006年9月13日

455

高纯度铪材料、由同种材料构成的靶和薄膜以及高纯度铪的制造方法　[申请号/专利号：200480021556]
申请人/专利权人：株式会社日矿材料
一种将铪的氯化物制成水溶液，将其溶剂萃取除去铪后，通过中和处理，得到氧化铪，再将其氯化成氯化铪，将其还原得到海绵铪，再将海绵铪再进行电子束溶解，得到高纯度铪锭的高纯度铪...

2006年9月6日

456

由钛和钛氧化物和低氧化物物理气相沉积的能量转换和储存膜和器件　[申请号/专利号：200480021078]
申请人/专利权人：希莫菲克斯公司
通过脉冲ＤＣ偏压反应溅射法从含钛靶沉积高密度氧化膜，以形成高质量含钛氧化膜。根据本发明形成钛基层或膜的方法包括通过脉冲ＤＣ偏压反应溅射法在衬底沉积含钛氧化物层。在一些实...

2006年8月30日

457

透明导电氧化物　[申请号/专利号：200480020874]
申请人/专利权人：希莫菲克斯公司
提出了一种由金属靶沉积透明导电膜的方法。根据本发明实施方案形成透明导电氧化物膜的方法包括：用衬底偏压，由脉冲ＤＣ反应离子工艺沉积透明导电氧化物膜，并且控制至少一个工艺参...

2006年8月30日

458

Ag系溅射靶及其制造方法　[申请号/专利号：200480020394]
申请人/专利权人：株式会社神户制钢所、株式会社钢臂功科研
一种Ａｇ系溅射靶（６），在和溅射面平行的面上切断该溅射靶而使多个溅射面露出，在每个露出的溅射面上选择多个位置，通过下式基于全部的选择位置的结晶粒径而算出值Ａ１以及值Ｂ１...

2006年8月23日

459

溅射靶以及该溅射靶的表面精加工方法　[申请号/专利号：200480020180]
申请人/专利权人：株式会社日矿材料
本发明涉及一种空心阴极型溅射靶，其特征在于，具有表面粗糙度Ｒａ≤１．０μｍ，进一步优选Ｒａ≤０．５μｍ的内侧底面。该空心阴极型溅射靶，其溅射膜的均匀性（ｕｎｉｆｏｒｍｉ...

2006年8月23日

460

靶/靶座结构和形成靶/靶座结构的方法　[申请号/专利号：200480016030]
申请人/专利权人：霍尼韦尔国际公司
本发明包括靶／靶座结构和形成靶／靶座结构的方法。所述靶和靶座可以通过适当的夹层互相结合。所述靶可以含有铝、铜、钽和钛中的一种或多种。所述夹层可以含有银、铜、镍、锡、钛和...

2006年7月12日

461

用于处理系统的自适用处理元件和其制造方法　[申请号/专利号：200480014931]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
提供具有多种配置的自适用处理元件（５０，１５０－１５６）用于处理系统。处理元件包括主要部件（１８２，２００，２０２，２３０）和至少一个可拆卸部件（１８４，２０８，２３２...

2006年7月5日

462

非晶透明导电膜及其原料溅射靶、非晶透明电极衬底及其制造方法、及液晶显示器用滤色器　[申请号/专利号：200480013771]
申请人/专利权人：出光兴产株式会社
提供一种透明性、蚀刻特性优异的低电阻的透明导电膜、其原料溅射靶、以及在衬底上形成了该透明导电膜的非晶透明电极衬底及其制造方法。本发明的非晶透明导电膜，是至少包含氧化铟和...

2006年6月21日

463

成膜用模具、使用了模具的成膜方法以及成膜控制系统　[申请号/专利号：200480013654]
申请人/专利权人：株式会社大岛电机制作所
一种成膜用模具、使用了模具的成膜方法以及成膜控制系统，在工件（灯主体）（３）的表面进行成膜时，不是如以往那样放置于成膜室中，而是使用模具进行成膜这样来谋求成膜作业的简化...

2006年6月21日

464

成型体的成膜方法、被成膜成型体的制造方法及被成膜成型体制造用膜具　[申请号/专利号：200480013652]
申请人/专利权人：株式会社大岛电机制作所
一种成型体的成膜方法、被成膜成型体的制造方法及被成膜成型体制造用模具，在使用模具滑动注塑方式来制造具有灯主体（３）和透镜部（４）而一体地制造的灯体（９）时，制造在灯主体...

2006年6月21日

465

电极与真空中的物质的接触　[申请号/专利号：200480011378]
申请人/专利权人：贝克特先进涂层公司
提供了一种改善溅射沉积过程的方法。该方法包括下面步骤：ａ）提供真空；ｂ）在所提供的真空中提供电极（１０、３４、３４′、４４、４４′）；ｃ）在所述真空中提供基体，所述基体...

2006年5月31日

比利

466

制造氧化硅薄膜和光学多层膜的方法　[申请号/专利号：200480010952]
申请人/专利权人：旭硝子株式会社、旭硝子陶瓷株式会社
本发明提供一种制造氧化硅薄膜的方法，因而能以高沉积速率连续形成具有一致光学常数如折射率、吸收系数等的薄膜。该方法包括：使用包含碳化硅和硅的溅射靶，其Ｃ与Ｓｉ的原子数比为...

2006年5月24日

467

氧化铜薄膜低摩擦材料及其成膜方法　[申请号/专利号：200480010869]
申请人/专利权人：独立行政法人物质·材料研究机构
本申请的发明涉及在成膜用基板上由等离子沉积形成以ＣｕＯ为主的氧化铜薄膜，并可显著低地控制其摩擦系数。...

2006年7月12日

468

用于溅射靶的金属坯件的形成方法　[申请号/专利号：200480009637]
申请人/专利权人：卡伯特公司
本发明涉及通过仅修平金属板两个表面中的一个在金属坯件、盘和溅射靶的制造中的改进。修平金属板的第二表面的消去导致显著的成本降低。本发明的金属板优选具有０．００５英寸或更小...

2006年5月10日

469

采用钛与铝材料的混合物涂覆的衬底,制备该衬底的方法和钛与铝金属的阴极靶材　[申请号/专利号：200480008611]
申请人/专利权人：PPG工业俄亥俄公司
公开了用于溅射含钛铝材料的吸收涂层的钛铝阴极靶材，溅射气氛中包含惰性气体、反应性气体如氮气、氧气和它们的混合物，该混合物中还可以含有惰性气体如氩气，以形成氮化物、氧化物...

2006年5月24日

470

膜或薄层离子化沉积的设备和方法　[申请号/专利号：200480007819]
申请人/专利权人：霍尼韦尔国际公司
本申请所描述的线圈组件包括：ａ）至少一个线圈；和ｂ）至少一个与至少一个线圈耦合的轮毂，其中，所述至少一个轮毂包括至少两个支撑部件。本申请所描述的形成和／或生产线圈组件的...

2006年4月26日

471

铜合金溅射靶、其制造方法以及半导体元件布线　[申请号/专利号：200480007437]
申请人/专利权人：株式会社日矿材料
一种铜合金溅射靶，其特征在于，含有大于等于０．０１小于０．５ｗｔ％的从Ａｌ或Ｓｎ选出的至少一种元素，Ｍｎ或Ｓｉ总量为０．２５ｗｔｐｐｍ及以下。提供一种半导体元件的布线材...

2006年5月10日

472

用于圆筒形靶极的通用真空连接器　[申请号/专利号：200480007007]
申请人/专利权人：贝克特先进涂层公司
一种连接系统（１０），用于可释放地把一个圆筒形靶极（１２）固附到一个轴（１４）上，该连接系统（１０）包括下列部件：ａ）一个以法兰部分（１６）终止的轴（１４）；ｂ）一个在...

2006年4月19日

比利

473

铪合金靶及其制造方法　[申请号/专利号：200480006256]
申请人/专利权人：株式会社日矿材料
一种铪合金靶，其特征在于，Ｈｆ中含有总计１００重量ｐｐｍ－１０重量％的Ｚｒ或Ｔｉ中的任一方或双方，并且平均结晶粒径为１－１００μｍ；作为杂质的Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ分别为１重...

2006年4月12日

474

溅射靶及其制造方法和光信息记录介质用薄膜及其制造方法　[申请号/专利号：200480005978]
申请人/专利权人：株式会社日矿材料
本发明涉及一种溅射靶，其特征在于，含有以氧化锌作为主要成分的化合物，并包含硫族化锌，且相对密度为９０％以上，体电阻值为０．１Ωｃｍ以下，所述化合物在Ａ、Ｂ分别为不同的三...

2006年4月5日

475

溅射靶、光信息记录介质用薄膜及其制造方法　[申请号/专利号：200480005976]
申请人/专利权人：株式会社日矿材料
本发明涉及一种溅射靶，其特征在于，含有以满足下式的氧化锌为主要成分的化合物：Ａ、Ｂ分别为不相同的３价及以上的阳性元素，其价数分别为Ｋａ、Ｋｂ时，Ａ↓［Ｘ］Ｂ↓［Ｙ］Ｏ↓...

2006年4月5日

476

电介质阻挡层膜　[申请号/专利号：200480005515]
申请人/专利权人：希莫菲克斯公司
依照本发明，提出一种电介质阻挡层。依照本发明的阻挡层包含用脉冲－ＤＣ、衬底偏压的物理气相沉积法沉积在衬底上的致密化的无定形电介质层，其中致密化的无定形电介质层是阻挡层。...

2006年4月5日

477

包括抗反射涂层的透明基材　[申请号/专利号：200480030033]
申请人/专利权人：法国圣戈班玻璃厂
本发明涉及透明基材（６），它包括在至少一个面上的抗反射涂层，特别是在法线入射，它是由多个薄层的叠层（Ａ）构成的，其特征在于该叠层相继地包括：折射指数ｎ↓［１］１．８－２...

2006年11月22日

法国

478

溅射靶材　[申请号/专利号：200480029890]
申请人/专利权人：石福金属兴业株式会社
本发明提供由向Ａｇ中添加特定少量的Ｐ使之合金化而成的Ａｇ基合金构成的具有高反射率且耐热性优异的溅射靶材。...

2006年11月22日

479

涂有介电层的基材及其制造方法和制造装置　[申请号/专利号：200480024728]
申请人/专利权人：法国圣戈班玻璃厂
本发明涉及其上面涂有至少一层电介质薄层的诸如玻璃基材的基材（１）。按照本发明，借助于比如磁场辅助和优选在氧和／或氮存在下的反应性的阴极雾化，在曝露在来源于离子源（４）的...

2006年10月4日

法国

480

涂有电介质层的基材、其制造方法和装置　[申请号/专利号：200480024717]
申请人/专利权人：法国圣戈班玻璃厂
本发明施加一种基材（１），特别是玻璃的该基材，通过阴极雾化，特别是磁场辅助和优选在氧和／或氮存在下的活性的阴极雾化，在曝露在至少一种来源于离子源（４）的离子束的条件下，...

2006年10月11日

法国

481

溅射靶及其制造方法　[申请号/专利号：200480021992]
申请人/专利权人：株式会社日矿材料
本发明涉及一种具有平均结晶尺寸为１ｎｍ～５０ｎｍ的组织的烧结体溅射靶，特别是由３元系以上的合金组成，以从Ｚｒ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、...

2006年9月6日

482

薄膜形成装置和薄膜形成方法　[申请号/专利号：200480014403]
申请人/专利权人：株式会社新柯隆
本发明的薄膜形成装置（１）具有：把反应性气体导入到真空容器（１１）内的气体导入单元；以及在真空容器（１１）内产生反应性气体的等离子体的等离子体发生单元（６１）。等离子体...

2006年6月28日

483

薄膜的形成方法及其形成装置　[申请号/专利号：200480014269]
申请人/专利权人：株式会社新柯隆
本发明的薄膜形成方法具有光学特性调节工序，在控制用于保持基板的基板座（１３）的运送速度的同时，在进行中间薄膜形成工序的区域和进行薄膜成分变换工序的区域之间反复运送上述基...

2006年6月28日

484

钽溅射靶及其制造方法　[申请号/专利号：200480009258]
申请人/专利权人：株式会社日矿材料
本发明通过对熔融铸造的钽锭或钽坯进行锻造、退火和轧制操作，从而提供了由此制得的钽溅射靶，其中所述钽靶的结构含有未再结晶结构。该钽溅射靶具有高淀积速度和出色的膜均一性，产...

2006年5月10日

485

相变型信息记录媒体及其制法、溅射靶以及相变型信息记录媒体的使用方法及光记录装置　[申请号/专利号：200480009194]
申请人/专利权人：株式会社理光
本发明的目的在于提供一种初期结晶化容易、即使是在与ＤＶＤ－ＲＯＭ同容量并且记录线速为１０倍或１０倍以上的高线速下记录灵敏度也良好并可以重写记录，同时保存可靠性也优异的相...

2006年5月3日

486

溅射靶及其制备方法　[申请号/专利号：200480009107]
申请人/专利权人：株式会社钢臂功科研
一种由相同材料制成的金属薄片的对接制成的溅射靶被提供，其中连接部分中的金属互化物具有的平均颗粒直径是非连接部分中的金属互化物平均颗粒直径的６０％至１３０％。在溅射靶中，...

2006年5月3日

487

滑块往复式对靶溅射加热传动装置　[申请号/专利号：200420118600]
申请人/专利权人：北京有色金属研究总院
一种滑块往复式对靶溅射加热传动装置，它包括有一个箱体，在箱体的底部设有样品架往复移动口，在箱体的底部设有蜗杆，在该蜗杆上连接有滑块，该滑块的上端连接有进入箱体内的支撑杆...

北京

488

滑轨往复式对靶溅射加热传动装置　[申请号/专利号：200420118599]
申请人/专利权人：北京有色金属研究总院
一种滑轨往复式对靶溅射加热传动装置，它包括有一个箱体，在箱体的一侧设有样品架进出口，在箱体内的底部和样品架进出口的外部设有样品架进出导轨，在导轨上设置可移动的样品架，在...

北京

489

水气供应装置　[申请号/专利号：200420117488]
申请人/专利权人：中华映管股份有限公司
一种水气供应装置，其包括一水瓶、一质量流量控制器、一第一管件、一第二管件以及一第一加热器，其中第一管件是连接水瓶与质量流量控制器，而第一加热器是配置于第一管件上，或配置...

台湾

490

磁控溅射介质靶防龟裂加固箍环　[申请号/专利号：200420109313]
申请人/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
本实用新型提供一种磁控溅射介质靶防龟裂加固箍环，该加固箍环由金属材料构成，其加工的内径尺寸与介质靶的直径尺寸紧配合。本实用新型的磁控溅射介质靶的加固箍环，使用４５↑［＃...

南京

491

双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备　[申请号/专利号：200420068277]
申请人/专利权人：雷卫武
本实用新型为一种双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备。利用甚低能量的离子在靶材上的动能转换，将靶材原子搬迁出来并在附近的衬底上生长单原子纳米膜或微米膜。同时利用另一离子...

湖南

492

溅镀机阴极靶源结构　[申请号/专利号：200420066879]
申请人/专利权人：蔡俊毅
本实用新型有关一种溅镀机阴极靶源结构，主要将靶材固定于靶源外框上，而对应组设于真空腔体内，且靶源外框与大小材积的被镀物间的距离，可藉由于靶源外框周围增减垫材，而使被镀物...

台湾

493

自动化潜入式内部回流装置　[申请号/专利号：200420036342]
申请人/专利权人：友威科技股份有限公司
一种自动化潜入式内部回流装置，是设有一位于连续生产设备前、后端的前升降装置、后升降装置、至少一延伸于前、后升降装置之间并且位在连续生产设备下方的回传机构模件，该前、后升...

台湾

494

双面溅射真空卷绕连续镀膜设备　[申请号/专利号：200420035632]
申请人/专利权人：衡阳市真空机电设备有限公司
本实用新型公开的双面溅射真空卷绕连续镀膜设备，包括一个具有真空系统（１）的真空室（２）和能在真空室（２）内推进推出的工作小车（９）及平面靶（３），在工作小车（９）上设置...

湖南

495

双面一次成膜真空离子溅镀机　[申请号/专利号：200420024850]
申请人/专利权人：林政乾、戴明光
本实用新型公开了一种双面一次成膜真空离子溅镀机，包括溅镀室、安装在溅镀室内的溅射发生器、分别与溅镀室的进口和出口密封连接的若干个真空过渡室、贯穿于真空过渡室和溅镀室的工...

江苏

496

免紧固悬挂式镀膜工装装卸机构　[申请号/专利号：200420011044]
申请人/专利权人：河南中光学集团有限公司
本实用新型属于光学设备辅助装置技术领域，是一种免紧固悬挂式镀膜工装装卸机构。该机构的主要特点是：在筒体上端面的圆周端口处固定有基板挂装组件，外圆周上排列设置有用于安装镀...

河南

497

溅射式镀膜机用靶材结构　[申请号/专利号：200420011041]
申请人/专利权人：河南中光学集团有限公司
本实用新型属于光学镀膜技术领域，是一种溅射式镀膜机用靶材结构。其主要特点是：靶材是由镀膜材料层和电极背板组合构成，其中，镀膜材料层采用条板状的成型镀膜块，电极背板为板块...

河南

498

具有Co合金和Pt薄膜交替层叠结构的垂直磁记录介质、其制造方法和装置　[申请号/专利号：200410104938]
申请人/专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
本发明使用非金属材料以同时实现粒状介质结构并显著提高磁性材料的Ｋ↓［ｕ］值，从而获得能进行高密度记录的磁记录介质。通过交替层叠主要含有Ｃｏ或Ｆｅ的铁磁性交换金属元素和Ｐ...

2005年7月13日

荷兰

499

在串列设备内涂覆基板的方法　[申请号/专利号：200410104918]
申请人/专利权人：应用薄膜两合公司
本发明涉及一种在串列设备中涂覆基板的方法，其中基板被移动通过至少一个涂覆室，并在其移动过程中被涂覆。在这个方法中，首先，形成涂覆室的模型，该模型考虑到涂覆室参数由于基板...

2005年11月2日

联邦

500

脉冲偏压电弧离子镀钛/氮化钛纳米多层超硬薄膜的方法　[申请号/专利号：200410155489]
申请人/专利权人：大连理工大学
脉冲偏压电弧离子镀钛／氮化钛纳米多层超硬薄膜的方法属于金属材料表面改性技术领域。该方法在电弧离子镀过程中，通过施加脉冲偏压来提高薄膜沉积质量；通过氩和氮的反复交替送气获...

2005年10月12日

大连